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1.一种包括一控制电极介电层及一控制电极之半 导体元件的处理方法,该方法包括下列步骤: -在该控制电极形成于一半导体基板顶上之前,在 半导体基板上提供该控制电极介电层,该控制电极 介电层系氧化矽层,提供其中至少一部分成为具有 大于1/2之矽原子对氧原子比之氧化矽; -在提供该氧化矽控制电极介电层后,藉由将氮原 子并至该控制电极介电层中,以至少部分转化该氧 化矽控制电极介电层成为氧氮化矽层; 其中提供该控制电极介电层包括: -提供该氧化矽控制电极介电层之一第一区,该第 一区位在靠近该半导体基板及该氧化矽控制电极 介电层之间的界面处,且具有一实际上等于1/2的矽 原子对氧原子比;以及 -提供该氧化矽控制电极介电层之一第二区,该第 二区位在靠近该氧化矽控制电极介电层的一表面 处,且具有一大于1/2的矽原子对氧原子比。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中,提供该控 制电极介电层步骤被执行,以使该控制电极介电层 中的该矽原子对氧原子比逐渐地从该第二区往该 第一区是从大于1/2之値往实际上等于1/2之値下降 。 3.根据申请专利范围第1或2项中任一项之方法,其 中,提供该控制电极介电层包括下列步骤: -提供具有一实际上等于的1/2的矽原子对氧原子比 之一控制电极介电层;以及 -利用植入技术将额外的矽原子并至该控制电极介 电层。 4.根据申请专利范围第1或2项中任一项之方法,该 基板系由矽所构成,其中,提供氧化矽控制电极介 电层步骤包括对该基板执行一热氧化作用。 5.根据申请专利范围第1或2项中任一项之方法,其 中,提供氧化矽控制电极介电层步骤包括执行一沉 积技术。 6.根据申请专利范围第5项之方法,其中,提供氧化 矽控制电极介电层步骤包括执行一化学气相沉积 技术。 7.根据申请专利范围第1或2项中任一项之方法,其 中,将氮原子并至该控制电极介电层中之步骤系藉 由氮电浆技术来执行。 8.一种半导体元件,包括在一半导体基板上所提供 之一控制电极及一控制电极介电层,其中,控制电 极介电层系至少部分为氧氮化矽层, 其中,该控制电极介电层包括: -一第一区,位在靠近该半导体基板及该控制电极 介电层之间的界面处,且具有一实际上等于1/2的矽 原子对氧原子比;以及 -一第二区,位在靠近该控制电极介电层的一表面 处,且具有一大于1/2的矽原子对氧原子比。 9.根据申请专利范围第8项之半导体元件,其中,该 半导体基板系矽。 10.根据申请专利范围第8或9项中任一项之半导体 元件,其中,该半导体元件系一电晶体元件。 图式简单说明: 第1至8图显示藉由本发明方法于该元件制造中之 各阶段半导体元件的剖面图。 |
