在半导体中形成隔离膜的方法

摘要

本发明系关于一种形成一隔离膜于半导体装置的方法。形成用于隔离的一沟渠之后，藉由处理后的洁净步骤中利用BFN将一种聚合物膜层剥去。一处理前的洁净步骤只使用SC-1进行，然后执行一侧面墙的氧化步骤，如此可以改善该沟渠侧面墙粗糙的缺点，并且容易地剥除聚合物。此外，因为可以省略一种传统的蚀刻处理后(PET)步骤，所以一种制造隔离膜的方法被简化。而且也可以防止植入一半导体基板的掺杂质向外扩散，其于该侧面墙氧化步骤之前，经由使用CLN N之一处理前的洁净步骤进行。随后在该沟渠的顶角处形成一斜坡，可以避免一闸氧化物膜的薄化现象，其沉积在该沟渠角落处的闸氧化物膜比一期望厚度薄。这也可以改善一装置的电性质，因为一如目标关键尺寸一样大的主动区域得以确保。

主权项

1.一种形成用于一隔离膜之一沟渠的方法,包括下 列步骤: 在一半导体基板上形成一蚀刻遮罩; 使用该蚀刻遮罩,进行蚀刻该半导体基板以形成一 沟渠; 于剥落剩余的蚀刻遮罩之后,使用BFN(B(Piranha(H2SO4+H 2O2))+F(50:1稀释HF)+N(SC-1(NH4OH/H2O2/H2O)))进行一第一洁 净步骤以除去副产品;以及 进行一侧面墙氧化步骤,以便在该沟渠内形成一侧 面墙氧化物膜。 2.如请求项1之方法,进一步包括执行使用CLN N(SC-1( NH4OH/H2O2/H2O))之一第二洁净步骤,其于该第一洁净 步骤后进行。 3.一种形成一隔离膜于一半导体装置内的方法,包 括下列步骤: 在一半导体基板上,依序地形成一通道氧化物膜、 一导电膜、和一硬遮罩膜; 在该硬遮罩膜上形成一光阻图样,由其中开辟一隔 离区; 以该光阻图样当做一蚀刻遮罩进行一蚀刻步骤,以 蚀刻该硬遮罩膜、该导电膜、该通道氧化物膜、 和该半导体基板,藉此形成一沟渠; 将该光阻图样剥去,然后执行一第一洁净步骤,以 剥除为形成该沟渠时进行的蚀刻步骤所产生的副 产物; 执行一侧面墙氧化步骤,以形成一侧面墙氧化物膜 于该沟渠内;以及 在整个结构上沉积一场氧化物膜,使用该硬遮罩膜 当做一停止层进行一抛光步骤,然后将该硬遮罩膜 剥去即形成该隔离膜。 4.如请求项3之方法,其中该洁净步骤是使用BFN(B( Piranha(H2SO4+H2O2))+F(50:1稀释HF)+N(SC-1(NH4OH/H2O2/H2O)))进 行,而且HF浸泡的时间是1至30秒。 5.如请求项1之方法,进一步包括执行使用CLN N(SC-1( NH4OH/H2O2/H2O))之一第二洁净步骤,其于该第一洁净 步骤后进行。 图式简单说明: 图1A和图1B是TEM照片,用于解释由一传统制程所造 成的侧面墙损坏; 图2是一TEM照片,显示相关技艺中PET步骤之后形成 的一碳系不正常层; 图3是一TEM照片,用于解释相关技艺中一侧面墙氧 化物膜的不对称性; 图4显示对于相关技艺中一侧面墙氧化物膜的一TEM EDS分析图表; 图5A至图5D显示根据本发明之一种形成一隔离膜的 方法之截面视野图; 图6是根据本发明中形成隔离用的一沟渠之后的一 TEM照片;以及 图7A是一TEM照片,显示氧化该侧面墙之后该沟渠顶 部状况;图7B是一TEM照片,显示氧化该侧面墙之后该 沟渠底部状况。