| 主权项 |
1.一种薄膜形成装置,其特征在于: 具备: 真空箱室; 基板保持构件,其系设置于前述真空箱室内;以及 气体供应端,其系朝向前述基板保持构件之基板安 装面而供应气体; 前述气体供应端具有导入口及排出口,上述排出口 系由具长边及短边之矩形气体供应口所构成; 前述气体供应端,系以前述长边方向之开口宽幅自 前述导入口朝前述排出口扩大之方式形成。 2.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中 前述气体供应端为以遍及安装于前述基板安装面 之基板的宽幅之长型地供应气体之状态而形成。 3.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中 前述基板保持构件系具备滑动机构,其系使该基板 安装面可移动于前述长型之气体的供应范围中之 短边方向。 4.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中 前述气体供应端为复数并列于前述长型之气体的 供应范围中之短边方向。 5.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中 前述气体供应端系具备复数之气体流路,其系在该 气体供应端的内部朝向气体的供应方向而被分割, 同时到达于前述气体供应端的气体供应口。 6.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中 前述气体供应端系以朝向前述基板安装面气体略 垂直地供应之状态而形成。 7.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中 前述气体供应端中的气体供应口的开口面积,系以 和供应气体于前述气体供应端的气体供应管的供 应截面积略相同或较小于该供应截面积之状态而 形成。 8.如申请专利范围第1项之薄膜形成装置,其中 相对于来自前述气体供应端的气体的供应方向,以 自略垂直方向供应气体于该当气体供应端之方式, 连接气体供应管于该气体供应端。 9.如申请专利范围第4项之薄膜形成装置,其中 自前述复数之气体供应端供应相异之气体。 10.如申请专利范围第4项之薄膜形成装置,其中 自前述复数之气体供应端供应单一之气体。 图式简单说明: 图1用以说明第1实施形态之薄膜形成装置之概略 构成图(a)、及要部扩大图(b)。 图2(a)、(b)、(c)表示第1实施形态之气体供应端之 例子之立体图。 图3(a)、(b)用以说明第2实施形态之薄膜形成装置 之要部扩大图(a)、及上视要部扩大图(b)。 图4用以说明第3实施形态之薄膜形成装置之要部 扩大图。 图5(a)、(b)、(c)表示第3实施形态之气体供应端之 例子之立体图。 图6用以说明第4实施形态之薄膜形成装置之要部 扩大图。 图7用以说明习知技术之真空蒸镀装置之概略构成 图。 |
