| 主权项 |
1.一种相位变化光学资讯记录媒体,包含: 一基底; 一记录层,叠置在该基底上,在该记录层形成标记, 以储存资讯; 其中,该基底记录层包括多数记录区段以及程式储 存区,该多数记录区段包括第一记录区段,在该第 一记录区段形成凹坑,其包括一RAM(随机存取记忆 体)区,该RAM区包括槽和摆动讯号,该程式储存区形 成凹坑,其包括第一记录区段的位置资讯,而不包 括相位变化光学资讯记录媒体的碟ID资讯。 2.如申请专利范围第1项之相位变化光学资讯记录 媒体,其中,该第一记录区段进一步包括一ROM(唯读 记忆体)区,该ROM区含有资料部分,在该资料部分不 存在摆动讯号。 3.如申请专利范围第1项之相位变化光学资讯记录 媒体,进一步包含位于基底与记录层之间的第一介 电层,叠置于记录层之上的第二介电层,叠置于第 二介电层之上的反射层,和叠置于反射层之上的外 敷层。 4.如申请专利范围第1项之相位变化光学资讯记录 媒体,其中该记录层包括Ag,In,Sb,Te作为主成分,Ag,In, Sb,Te的含量分别设为,,,(原子%),上述参数 满足下式关系: 0<≦10 2≦≦12 55≦≦70 22≦≦32 十十十=100。 5.如申请专利范围第4项之相位变化光学资讯记录 媒体,其中该记录层进一步含有从周期表3B族,4B族, 5B族选择的至少一种元素。 6.如申请专利范围第1项之相位变化光学资讯记录 媒体,其中该记录层包括Ge,Ga,Sb,Te作为主成分Ge,Ga, Sb,Te的含量分别设为,,,(原子%),上述参数 满足下式关系: 0<≦10 1≦≦12 55≦≦85 12≦≦32 +十十=100。 7.如申请专利范围第6项之相位变化光学资讯记录 媒体,其中该记录层进一步含有从周期表3B族,4B族, 5B族选择的至少一种元素。 8.一种资讯记录装置,包含: 接收装置,接收在相位变化光学资讯记录媒体上记 录或抹除资讯的指令; 读取装置,读取储存在相位变化光学资讯记录媒体 的程式储存区的碟ID资讯的位置以及相位变化光 学资讯记录媒体的各记录区段的位置资讯; 记录∕抹除装置,记录或抹除各记录区段的资讯; 控制装置,控制该记录/抹除装置,当在程式储存区 一记录区段或多记录区段的位置资讯位于碟ID资 讯之后时,根据指令记录或抹除一记录区段或多记 录区段中的资讯,或者当在程式储存区一记录区段 或多记录区段的位置资讯位于碟ID资讯之前时,拒 绝实行指令。 9.如申请专利范围第8项之资讯记录装置,其中,控 制装置进一步具有命令记录/抹除装置重写碟ID资 讯的功能,以改变碟ID资讯位置,记录或抹除一记录 区段或多记录区段中的资讯。 10.如申请专利范围第8项之资讯记录装置,进一步 包含一记忆体,储存关于可记录可抹除记录区段的 记录区段资讯,和控制装置进一步具有以下功能: 当接收装置接收到抹除光学资讯记录媒体上多记 录区段中的最终记录区段指令情况,控制装置参照 该记录区段资讯,确定该最终记录区段是否可是可 抹除记录区段,当最终记录区段是可记录可抹除记 录区段时,命令记录/抹除装置抹除该最终记录区 段,或者当最终记录区段不是可记录可抹除记录区 段时,拒绝抹除指令。 11.如申请专利范围第8项之资讯记录装置,进一步 包含一记忆体,储存关于不可记录不可抹除记录区 段的记录区段资讯,和控制装置进一步具有以下功 能:当接收装置接收到完全抹除光学资讯记录媒体 上多记录区段指令情况,控制装置参照记录区段资 讯,确定在记忆体是否存在不可记录不可抹除的记 录区段,当在记忆体不存在不可记录不可抹除的记 录区段时,命令记录/抹除装置实行完全抹除指令, 或者当在记忆体存在不可记录不可抹除的记录区 段时,拒绝完全抹除指令。 12.一种资讯记录装置,将资讯记录在相位变化光学 资讯记录媒体上,该相位变化光学资讯记录媒体上 包括多记录区段,至少一记录区段包括一不含摆动 讯号的ROM区,以及一含摆动讯号的RAM区,该资讯记 录装置包括: 接收装置,接收抹除记录区段的指令; 判断装置,判断是否在记录区段存在摆动讯号,确 定该记录区段是否不包含ROM区;和 抹除装置,当该记录区段不包含ROM区时,抹除该记 录区段。 13.一种资讯记录和抹除方法,在相位变化光学资讯 记录媒体上记录或抹除资讯,该光学资讯记录媒体 包括一程式储存区和多记录区段,该资讯记录和抹 除方法包含: 读取记录在相位变化光学资讯记录媒体的程式储 存区中的碟ID资讯的位置资讯以及多记录区段的 位置资讯; 当一记录区段或多记录区段的位置资讯位于碟ID 资讯之后时,根据接收到的记录或抹除指令,记录 或抹除一记录区段或多记录区段中的资讯,或者当 一记录区段或多记录区段的位置资讯位于碟ID资 讯之前时,拒绝实行记录或抹除资讯指令。 14.如申请专利范围第13项之资讯记录和抹除方法, 进一步包括重写碟ID资讯的位置资讯,控制记录或 抹除一记录区段或多记录区段中的资讯。 15.一种资讯记录方法,将资讯记录在相位变化光学 资讯记录媒体上,该相位变化光学资讯记录媒体上 包括多记录区段,至少一记录区段包括一不含摆动 讯号的ROM区,以及一含摆动讯号的RAM区,该资讯记 录方法包含: 根据接收到的抹除某记录区段指令,判断是否在该 记录区段存在摆动讯号,确定该记录区段是否不包 括ROM区;和 当该记录区段不包括ROM区时,抹除该记录区段。 16.一种最佳CW(连续波)抹除功率决定方法,用于抹 除相位变化光学资讯记录媒体上的资讯,包含: 用不同功率PeCW抹除以所定记录功率记录的HF讯号; 测定残存HF讯号的11T讯号的凹坑位准(I 11L)或者凹 坑位准(I 11L) 和地面位准(I 11H)两者; 决定最佳CW抹除功率Pecw,其至少满足下列关系示(1) ,(2)之一: Pe1+0.05Pe≦Pecw≦Pe2 - 0.05Pe (1) 式中,Pe1表示当d (I 11L)/d (Pe)为最大时的Pe,Pe2表示 当d (I 11L)/d (Pe)为最小时的Pe, Pe表示(Pe2-Pe1);和 I 11L∕I 11H>0.8 (2)。 17.如申请专利范围第16项之最佳CW抹除功率决定方 法,其中记录功率比用法得到的最佳记录功率Pwo 高。 18.如申请专利范围第16项之最佳CW抹除功率决定方 法,其中在CW抹除步骤中,相位变化光学资讯记录媒 体的线速度比相位变化光学资讯记录媒体的最高 记录速度高。 19.一种相位变化光学资讯记录媒体的直接重写资 讯方法,包含: 用一抹除功率抹除储存在相位变化光学资讯记录 媒体上的资讯,同时,将资讯记录在该相位变化光 学资讯记录媒体上;和 该抹除功率是如申请专利范围第16项之方法所决 定的最佳CW抹除功率。 20.一种相位变化光学资讯记录媒体的直接重写资 讯方法,包含: 第一记录资讯,固定抹除功率,用不同的记录功率 将HF讯号记录在相位变化光学资讯记录媒体上; 测定HF讯号的标记长度∕地面宽度的平衡; 将标记长度∕地面宽度的平衡为0~8%的记录功率 作为最佳记录功率;和 第二记录资讯,对相位变化光学资讯记录媒体使用 该最佳记录功率,将资讯记录在相位变化光学资讯 记录媒体上。 21.一种资讯抹除方法,包含: 在相位变化光学资讯记录媒体上用一抹除功率实 行CW抹除,该相位变化型光学资讯记录媒体包括一 藉由压模形成的ROM区;和 该抹除功率是如申请专利范围第16项之方法所决 定的最佳CW抹除功率。 图式简单说明: 第1图为表示习知CD-RW的位址资料配置图。 第2A图表示习知CD-RW上设有记录资讯的状态图, 第2B图表示在第2A图的CD-RW上记录有第一记录区段( 即L/I-1,资料-1,L/O-1)的状态图,第2C图表示在第2B图 的CD-RW上记录有第二记录区段(即L/I-2,资料-2,L/O-2) 的状态图,第2D图表示抹除第2C图的CD-RW的最终记录 区段(即第二记录区段)的状态图,第2E图表示抹除 第2D图的CD-RW的最终记录区段(即第一记录区段)的 状态图,和第2F图表示第2B-2E图所示任一个CD-RW上全 部资讯都被抹除的状态图。 第3A图表示实施例1的设有ROM区的CD-RW状态图,其中, 用凹坑记录有第一记录区段(即L/I-1,资料-1,L/O-1), 第3B-3E图表示设有一ROM区的CD-RW状态图,分别与第2C -2F图所示习知CD-RW状态相对应。 第4图为表示第一记录区段被写入保护的CD-RW。 第5图为表示第二记录区段被写入保护的设有ROM区 的CD-RW。 第6图为表示无摆动讯号的第一记录区段的资料。 第7图为表示本发明的记录再生装置中抹除动作流 程图。 第8图为表示摆动导向槽的摆动状态。 第9图为表示使凹坑及凹坑间槽作S形摆动状态。 第10图为表示本发明资讯记录∕再生装置的构成 实施例。 第11图为表示残存讯号位准与抹除功率之间关系 图。 第12图为表示(EFM讯号的标记长度/凹坑长度平衡 度)及故障与记录功率之间关系图。 第13图为表示烧录二次情况的故障与记录功率之 间关系图。 第14图为表示烧录1000次情况的故障与记录功率之 间关系图。 |
