| 主权项 |
1.一种沟渠的后处理方法,适于对形成于一晶圆中 之至少一沟渠进行处理,该后处理方法包括: 提供一清洗溶液; 将该晶圆浸泡于该清洗溶液中,其中形成于该晶圆 中的该沟渠之开口朝下;以及 从该清洗溶液中取出该晶圆。 2.如申请专利范围第1项所述之沟渠的后处理方法, 其中该清洗溶液包括氢氧化铵与去离子水。 3.如申请专利范围第2项所述之沟渠的后处理方法, 其中该清洗溶液之氢氧化铵与去离子水的体积比 在1:25~1:200(V/V)之间。 4.如申请专利范围第1项所述之沟渠的后处理方法, 其中将该晶圆浸泡至该清洗溶液中之步骤更包括 将该晶圆浸泡于该清洗溶液中一段时间。 5.如申请专利范围第1项所述之沟渠的后处理方法, 其中将该晶圆浸泡至该清洗溶液中之步骤更包括 藉由调整该清洗溶液的温度来加速该沟渠之清洗 速率。 6.如申请专利范围第1项所述之沟渠的后处理方法, 其中从该清洗溶液中取出该晶圆之后更包括: 将该晶圆浸泡于去离子水中一段时间,以增加该沟 渠之表面粗糙度;以及 从去离子水中取出该晶圆。 7.如申请专利范围第6项所述之沟渠的后处理方法, 其中从去离子水中取出该晶圆之后更包括: 利用去离子水冲洗该晶圆;以及 将该晶圆弄乾。 8.如申请专利范围第6项所述之沟渠的后处理方法, 其中将该晶圆浸泡于去离子水中一段时间之步骤 包括将形成于该晶圆中的该沟渠之开口朝下。 9.如申请专利范围第6项所述之沟渠的后处理方法, 其中将该晶圆浸泡于去离子水中一段时间之步骤 包括将该晶圆浸泡于静止的去离子水中。 10.如申请专利范围第1项所述之沟渠的后处理方法 ,其中将该晶圆浸泡至该清洗溶液中之前,更包括: 将该晶圆浸泡至一氟化氢溶液中;以及 从该氟化氢溶液中取出该晶圆。 11.如申请专利范围第10项所述之沟渠的后处理方 法,其中将该晶圆浸泡至该氟化氢溶液中之步骤包 括将形成于该晶圆中的该沟渠之开口朝上。 12.如申请专利范围第10项所述之沟渠的后处理方 法,其中将该晶圆浸泡至该氟化氢溶液中之步骤更 包括使用超音波震荡。 13.如申请专利范围第10项所述之沟渠的后处理方 法,其中从该氟化氢溶液中取出该晶圆之后与将该 晶圆浸泡至该清洗溶液中之前,更包括: 利用去离子水冲洗该晶圆;以及 将该晶圆弄乾。 14.一种沟渠的后处理装置,包括: 一槽体;以及 一水平式晶圆载具,配置于该槽体上方,其中该水 平式晶圆载具包括: 一卡匣,用以水平承载至少一晶圆,且使该晶圆之 正面朝下;以及 一移动支架,与该卡匣相连,用以使该卡匣进出该 槽体。 15.如申请专利范围第14项所述之沟渠的后处理装 置,其中该卡匣更包括多数个凸缘,用以支撑该晶 圆,且使该晶圆之正面朝下。 16.如申请专利范围第14项所述之沟渠的后处理装 置,其中该卡匣更包括一晶圆出入口。 17.如申请专利范围第14项所述之沟渠的后处理装 置,更包括一超音波震荡器,与该槽体相连。 图式简单说明: 第1A图至第1E图是依照本发明一第一实施例之沟渠 的后处理之制造流程剖面图。 第2图是依照本发明一第二实施例之沟渠式电容器 的深沟渠之制程步骤图。 第3A图与第3B图系分别绘示依照本发明一第三实施 例之沟渠的后处理装置的正视图与侧视图。 |
