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Die Erfindung betrifft die temperaturstabile Kontaktierung von Halbleitermaterialien auf der Basis von Antimoniden mit silberhaltigen Loten ohne weitere Barriereschicht zum Einsatz in thermoelektrischen Generatoren und Peltier-Anordnungen sowie Verfahren zur Herstellung solcher thermoelektrischer Module.
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