Ein Verfahren zum Dünnen von Halbleitersubstraten zur Herstellung von dünnen Halbleiterplättchen

摘要

In einem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Substratdünnungsprozess auf einem mit Kontakthöckern versehenen Substrat vor dem letzten Lotmaterialaufschmelzprozess durchgeführt, um Kontakthöckerbeschädigungen, die durch den Substratdünnungsprozess verursacht wurden, auszuheilen. Dadurch wird auch das Risiko eines Substratbruches, im Vergleich zu einem Dünnungsprozess gemäß dem Stand der Technik, reduziert, da die Anzahl der Prozessschritte, die das Hantieren dünner Substrate erfordern, reduziert ist.