Hochspannungsfestes Halbleiterbauelement mit vertikal leitenden Halbleiterkörperbereichen und einer Grabenstruktur sowie Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Die Erfindung betrifft eine hochspannungsfestes Halbleiterbauelement (1) mit vertikal leitenden Halbleiterbereichen (17) und einer Grabenstruktur (5) sowie Verfahren zur Herstellung desselben. Diese vertikal leitenden Halbleiterbereiche werden aus Halbleiterkörperbereichen (10) eines ersten Leitungstyps gebildet und mit einer Grabenstruktur (5) auf der Oberseite (6) des Halbleiterbauelements umgeben. Dazu weist die Grabenstruktur einen Boden (7) und einen Wandbereich (8) auf und ist von einem Material (9) mit hoher relativer Dielektrizitätskonstanten (epsilon¶r¶) aufgefüllt. Der Bodenbereich (7) der Grabenstruktur (5) ist mit einem hochdotierten Halbleitermaterial (11) gleichen Leitungstyps wie die schwachdotierten Halbleiterkörperbereiche (17) und/oder mit einem metallisch leitenden Material (12) versehen.