| 摘要 |
Die Aufgabe, einen nichtflüchtigen Halbleiterspeicher mit CBRAM-Speicherzellen bereitzustellen, bei denen zwischen der Ag-dotieren GeSe-Schicht und der AG-Topelektrode eine chemisch inerte Grenschicht vorliegt, welche die Schalteigenschaften der CBRAM-Speicherzelle verbessert, wird durch die vorliegende Erfindung gelöst, indem die aktive Matrixmaterialschicht der Speicherzelle eine GeSe/Ge:H-Doppelschicht mit einer glasartigen GeSe-Schicht und einer amorphen Ge:H-Schicht umfasst, wobei die amorphe Ge:H-Schicht zwischen der GeSe-Schicht und der zweiten Elektrode angeordnet ist. Dadurch wird eine Bildung von AgSe-Konglomeraten in der Ag-Dotier- und/oder Elektrodenschicht unterbunden, so dass Ausscheidungen verhindert werden und eine homogene Abscheidung der Silber-Dotierschicht ermöglicht wird. Durch das GeSe/Ge:H-Doppelschichtsystem wird zum einen die resistive nichtflüchtige Speicherwirkung der CBRAM-Speicherzelle erhalten und zum anderen mittels der dünnen Ge:H-Schicht die chemische Stabilität der darüber liegenden Topelektrode gesichert. |
