一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法

摘要

一种一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法，包括以下制作步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、2.4μm磷化铟空间层和有源区的下光限制层、压应变量子阱有源区、上光限制层，p型磷化铟包层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；步骤2：采用湿法腐蚀工艺刻出激光器及模斑转换器上脊形状；步骤3：然后利用自对准工艺刻出下脊形状；步骤4：生长SiO₂绝缘层，接着开出电极窗口；步骤5：外延片衬底减薄至100μm，制作p/n电极后，经划片解理成250μm×600μm的管芯。

主权项

1.一种一次外延形成半导体激光器和模斑转换器的方法，其特征在于，包括以下制作步骤：步骤1：在n型磷化铟衬底上外延生长n型磷化铟缓冲层、下波导层、2.4μm磷化铟空间层和有源区的下光限制层、压应变量子阱有源区、上光限制层，p型磷化铟包层和高掺杂p型铟镓砷欧姆电极接触层；步骤2：采用湿法腐蚀工艺刻出激光器及模斑转换器上脊形状；步骤3：然后利用自对准工艺刻出下脊形状；步骤4：生长SiO2绝缘层，接着开出电极窗口；步骤5：外延片衬底减薄至100μm，制作p/n电极后，经划片解理成250μm×600μm的管芯。