发明名称 芳香族高分子、膜、电解质膜和隔板
摘要 本发明提供一种芳香族高分子,其是以特定的比例含有芳香族聚酰胺结构单元和芳香族碳酰肼结构单元的芳香族高分子,该芳香族高分子在成型为膜时,杨氏模量高,断裂点伸长率大且吸湿率低。另外,可以利用选自酸和碱的药品将具有碳酰肼结构的化合物,在温和的条件下廉价的脱水环化。
申请公布号 CN1756789A 申请公布日期 2006.04.05
申请号 CN200480005837.X 申请日期 2004.03.02
申请人 东丽株式会社 发明人 森山英树;佃明光
分类号 C08G73/08(2006.01);C08G69/32(2006.01);H01M8/02(2006.01);H01M8/10(2006.01) 主分类号 C08G73/08(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 段承恩;田欣
主权项 1.一种芳香族高分子,含有下述化学式(I)、(II)和(III)所示的结构单元、并且在设化学式(I)、(II)和(III)所示的结构单元的摩尔百分率(%)分别为l、m、n时,满足下式(1)~(3),80≤l+m+n≤100……(1)5≤m≤90      ……(2)10≤n≤90     ……(3)<img file="A2004800058370002C1.GIF" wi="986" he="158" />R<sup>1</sup>:任意的芳香族基R<sup>2</sup>:任意的芳香族基<img file="A2004800058370002C2.GIF" wi="1001" he="166" />R<sup>3</sup>:具有选自醚基(-O-)、亚甲基(-CH<sub>2</sub>-)和磺酰基(-SO<sub>2</sub>-)中的至少一种取代基的碳原子数12或其以上的芳香族基R<sup>4</sup>:任意的芳香族基<img file="A2004800058370002C3.GIF" wi="1331" he="203" />R<sup>5</sup>:任意的芳香族基R<sup>6</sup>:任意的芳香族基。
地址 日本东京都