| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置的制造方法，在栅极的侧面上形成包含NSG膜、TEOS膜等的第一氧化膜和BPSG膜、PSG膜等的第二氧化膜的层叠膜侧壁。然后，在把层叠膜侧壁作为用于形成MIS晶体管的源、漏极的注入掩模使用后，在有选择地除去第二氧化膜时，用包含氢氟酸和醋酸或异丙醇的水溶液进行湿蚀刻。据此，使各氧化膜的蚀刻选择比增大，只除去上层的第二氧化膜。能避免蚀刻选择比劣化。 | ||
| 申请公布号 | CN1249795C | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN02120360.1 | 申请日期 | 2002.05.23 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社;三菱电机株式会社 | 发明人 | 和田幸久;久米聪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/306(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：在具有在半导体衬底上设置有栅绝缘膜和位于其上的栅极的MIS型晶体管的半导体装置的制造工序中，包括：在栅极的侧面上，形成包含蚀刻特性彼此不同的第一氧化膜和第二氧化膜的侧壁的工序(a)；把所述侧壁作为掩模，进行用于形成源、漏区域的离子注入的工序(b)；利用包含氢氟酸和异丙醇的混合溶液来蚀刻所述侧壁，从而有选择地除去所述第二氧化膜的工序(c)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||