| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体装置及其制造方法，更具体地，提供一种低成本的δ掺杂技术，其可防止MOSFET的微细化时产生击穿现象的问题，且不会牺牲器件的特性。为此，使掺杂到半导体衬底中的磷原子偏析于表面，并以该表面层作为δ掺杂层使用。此处所谓偏析是指杂质原子以高于半导体衬底内部的浓度分布在表面附近。 | ||
| 申请公布号 | CN1249783C | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN02126975.0 | 申请日期 | 2002.07.26 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 诹访雄二;桥诘富博;山口宪;藤森正成 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/22(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征为：通过使已经存在于半导体衬底中的杂质原子偏析于该半导体衬底的表面，形成杂质原子浓度高于该衬底的杂质薄层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||