闪存多阶编码方法

摘要

本发明公开了一种闪存多阶编码方法，是在一闪存的控制栅与漏极同时施加阶梯状电压波形。当对一闪存数组中的其中之一存储单元进行编码时，于快闪存储单元的漏极施加第一阶梯状电压，其中第一阶梯状电压具有多个相异定值电压。同时于第一阶梯状电压的各个相异定值电压的作用期间，于闪存的控制栅极施加一第二阶梯状电压，其中第二阶梯状电压具有多个相异定值电压。因此，闪存得以被多阶编码。

主权项

1.一种闪存多阶编码方法，用以编码一快闪存储单元，其特征在于：包括：在上述快闪存储单元的漏极施加一第一阶梯状电压，而上述第一阶梯状电压，具有多个阶相异定值电压；于上述第一阶梯状电压之每一上述多个相异定值电压的作用期间内，于上述闪存的控制栅极施加一第二阶梯状电压，上述第二阶梯状电压具有多个阶相异定值电压，其中上述第一阶梯状电压的各上述多个相异定值电压与上述第二阶梯状电压的各上述多个相异定值电压之差值至少为6V。