| 发明名称 | SOI晶片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种SOI晶片及其制造方法，至少在支承基板上，通过绝缘膜形成硅活性层或直接形成硅活性层的SOI晶片，其特征为：至少上述硅活性层，是利用柴氏长晶法所生成的N区域及/或无缺陷I区域的P(磷)掺杂硅单晶，且Al(铝)浓度的含量为2×10<SUP>12</SUP>atoms/cc以上。借此构成，可简单且廉价地提供一种SOI晶片，该SOI晶片即使形成极薄的硅活性层时，也不会因氢氟酸洗净等产生微小凹坑，而具有优异的电性特性，或即使形成极薄的层间绝缘膜时，也可维持高绝缘性，且装置制作步骤的电性可靠性高。 | ||
| 申请公布号 | CN1757115A | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN200480005886.3 | 申请日期 | 2004.03.12 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 樱田昌弘 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/76(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种SOI晶片，至少在支承基板上，通过绝缘膜形成硅活性层或直接形成硅活性层的SOI晶片，其特征为：至少上述硅活性层，是利用柴氏长晶法所生成的N区域及/或无缺陷I区域的P(磷)掺杂硅单晶，且Al(铝)浓度的含量为2×1012atoms/cc以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||