| 发明名称 | 平面浮栅的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明有关一种平面浮栅的制造方法，主要包括将多晶硅层间氧化物沉积覆盖于晶片表面；打开浮栅区域(浮栅延伸部除外)以及部分蚀刻多晶硅层间氧化物；打开所有浮栅区域(浮栅上部延伸部除外)和所有有源区。由该制造方法所得的浮栅近似“T”形，可得平坦且宽的浮栅表面以及与控制栅间的耦合面积。本发明又有关一种以该制造方法制得的具有平面浮栅的非易失性存储器元件构造。 | ||
| 申请公布号 | CN1249784C | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN02152649.4 | 申请日期 | 2002.11.28 |
| 申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 张文岳 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 任永武 |
| 主权项 | 1.一种平面浮栅的制造方法，其特征在于，包括：将一多晶硅层间氧化物沉积覆盖于一晶片表面；通过部分蚀刻该多晶硅层间氧化物打开一浮栅区域的一上部延伸部；打开该上部延伸部除外的所有浮栅区域和所有有源区；沉积一多晶硅以形成一浮栅；以及使用一多晶硅化学机械抛光方法研磨该浮栅使其平坦化。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市新竹科学工业园区研新三路4号 | ||