发明名称 | 放射线探测器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种放射线探测器。其中,在适于形成大面积的放射线感应型非晶半导体厚膜与电压施加电极的端部边缘部分之间形成高耐压绝缘物质。从而,消除电压施加电极的端部边缘部分上电场的集中,并且不再引起穿透放电或放电击穿等前级现象。 | ||
申请公布号 | CN1249452C | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
申请号 | CN02151855.6 | 申请日期 | 2002.10.18 |
申请人 | 株式会社岛津制作所 | 发明人 | 佐藤贤治;德田敏 |
分类号 | G01T1/24(2006.01) | 主分类号 | G01T1/24(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
主权项 | 1.一种放射线探测器,包括:绝缘衬底,被形成为具有用于存储电荷的电容器和读出电荷的开关元件;载流子收集电极,形成在该绝缘衬底上并电连接至该电荷储存电容器;放射线感应型半导体厚膜,形成在该载流子收集电极上,用以通过放射线的入射产生电荷转移介质;电压施加电极,形成在该半导体厚膜的表面上;以及具有高耐压特性的绝缘物质,形成在该半导体厚膜与该电压施加电极的端部边缘部分之间,其中电荷通过放射线的照射在该半导体厚膜处产生,并被存储在电荷储存电容器中,并作为放射线探测信号经由开关元件读出。 | ||
地址 | 日本京都市 |