发明名称 |
电荷捕捉半导体存储装置 |
摘要 |
以一半导体基板的主要表面的凹处,较佳为圆柱形凹处形成存储单元,其包含在侧壁与一栅极电极处的存储层序列,并具有与第一及第二位线以列方式连接的上及下源极/漏极区域。在所述第一及第二位线上配置有字线,其与栅极电极行连接。所述垂直晶体管结构促进所述单元的进一步收缩,并产生所需的最小有效沟道长度。 |
申请公布号 |
CN1755933A |
申请公布日期 |
2006.04.05 |
申请号 |
CN200510099197.X |
申请日期 |
2005.09.13 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
M·维霍文 |
分类号 |
H01L27/112(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/112(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;张志醒 |
主权项 |
1.一种电荷捕捉半导体存储装置,包括:一半导体层或基板,其具有含一凹处的一主要表面;所述凹处垂直所述主要表面处而延伸至所述半导体层或基板中,并具有一侧壁与离所述主要表面最大距离处的一底部区域;一存储层序列,其配置在至少所述凹处侧壁的一区域中;一栅极电极,其配置在所述凹处中;一上源极/漏极区域,其位在邻近所述主要表面的侧壁的上部分;一下源极/漏极区域,其位在邻近所述底部区域的侧壁的下部分处;以及用于对所述栅极、所述上源极/漏极区域与所述下源极/漏极区域施加电压的装置。 |
地址 |
德国慕尼黑 |