电荷陷入记忆体元件及其程序化及抹除方法

摘要

本发明是有关于一种电荷陷入记忆体元件及其程序化及抹除方法，首先在闸极上施加第一负电压，以达动态平衡状态(重置/抹除状态)。接着，在闸极上施加正电压，以程序化此记忆体元件。然后，在闸极上施加第二负电压，以使记忆体元件恢复到重置/抹除的状态。本发明的记忆体元件具有可靠度，能量的消耗相当低，可以缩小至很小的尺寸，可以解决电浆充电效应。本发明的抹除机制是自我收敛，因此没有过度抹除的问题存在。本发明能够在电荷陷入记忆体元件中进行程序化及抹除。在此，本发明所提出的方法及结构增进了电荷陷入记忆体元件的电荷保存能力及可靠度。

主权项

1、一种电荷陷入记忆体元件的程序化及抹除方法，其特征在于其包括以下步骤：在一闸极上施加一第一负电压，以使电子进入一重置态状态；在施加该第一负电压之后，在该闸极上施加一正电压；以及在施加该正电压之后，在该闸极上施加一第二负电压。