| 发明名称 | 薄膜压电谐振器的制造方法、薄膜压电谐振器的制造装置、薄膜压电谐振器以及电子部件 | ||
| 摘要 | 本发明中的薄膜压电谐振器的制造方法，是在以覆盖形成在基体(2)之上的下部电极(3)的方式在基体(2)之上形成了压电膜(4)之后，将用于形成上部电极(6)的电极材料层(6b)形成在比压电膜(4)更靠近上侧的位置上，在电极材料层(6b)之上形成了规定形状的掩模之后，通过蚀刻电极材料层(6b)而形成上部电极(6)，从而制造薄膜压电谐振器(1)之际，在形成电极材料层(6b)的工序之前，在蚀刻电极材料层(6b)时，以覆盖压电膜(4)中至少上部电极(6)的非形成部位的方式形成用于保护压电膜(4)的保护层(5)，之后以覆盖保护层(5)的方式形成电极材料层(6b)。 | ||
| 申请公布号 | CN1757158A | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN200480006162.0 | 申请日期 | 2004.03.26 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 小室荣树;齐藤久俊;野口隆男;伊村正明 |
| 分类号 | H03H3/02(2006.01);H03H9/17(2006.01) | 主分类号 | H03H3/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种薄膜压电谐振器的制造方法，其中，在以覆盖形成在基体之上的下部电极的方式在该基体之上形成了压电膜之后，将用于形成上部电极的电极材料层形成在比该压电膜更靠近上侧的位置上，在该电极材料层之上形成了规定形状的掩模之后，通过蚀刻该电极材料层而形成前述上部电极，从而制造薄膜压电谐振器之际；在形成前述电极材料层的工序之前，在蚀刻该电极材料层时，以覆盖该压电膜中至少前述上部电极的非形成部位的方式形成用于保护前述压电膜的保护层，之后以覆盖该保护层的方式形成前述电极材料层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||