发明名称 |
用于壁膜监测的方法与设备 |
摘要 |
一种壁膜监视系统,包括在一个等离子体处理室内的第一和第二微波反射镜,各反射镜具有一个凹面。第二反射镜的凹面正对着第一反射镜的凹面。一个电源耦合到第一反射镜并且产生一个微波信号。一个检测器连接到第一和第二反射镜中的至少一个,并且被配置为测量微波信号的真空谐振电压。一个控制系统连接到检测器,其比较第一测量电压和第二测量电压并确定第二电压是否超过一个阈值。一种在等离子体室内监测壁膜的方法,包括把一个晶片装入室内,设置微波信号输出的频率为一个谐振频率,并测量微波信号的第一真空谐振电压。该方法包括处理所述晶片,测量微波信号的第二真空谐振电压,并使用第一测量电压作为参考电压来确定第二测量电压是否超过一个阈值。 |
申请公布号 |
CN1249401C |
申请公布日期 |
2006.04.05 |
申请号 |
CN02821122.7 |
申请日期 |
2002.10.24 |
申请人 |
东京电子株式会社 |
发明人 |
埃里克·J·斯特朗;理查德·帕森斯 |
分类号 |
G01B9/02(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
G01B9/02(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
马浩 |
主权项 |
1.一种使用在等离子体室中的壁膜监测器,所述的壁膜监测器包括:至少一个多模谐振腔;与所述的至少一个多模谐振腔相连的电源,所述的电源被设置来产生一个激励信号,该激励信号对应于所述多模谐振腔的至少一种模式;与所述的至少一个多模谐振腔相连的检测器,所述的检测器被设置来测量所述的激励信号;以及与所述的检测器相连的一个控制系统,该控制系统被设置来将至少一个测量信号与一个对应于壁膜厚度的门限信号做比较。 |
地址 |
日本东京 |