发明名称 |
形成图案的工序及采用该工序制造液晶显示设备的方法 |
摘要 |
利用发射到将被蚀刻的薄膜上的感光薄膜上的光量的不同,制成仅通过一个照相平版印刷步骤形成并且具有不同薄膜厚度的感光薄膜图案,利用感光薄膜图案薄膜厚度的不同对将被蚀刻的薄膜进行两次蚀刻,以便在其中形成多个图案,由此减少制造工序步骤的数量。在这种情况下,在蚀刻并除去感光薄膜图案之外的薄感光薄膜时,感光薄膜图案之外的厚感光薄膜的上层已经被改造成为几乎不受干蚀刻影响的二氧化硅薄膜,因此厚感光薄膜能保持其平面形状,并几乎与蚀刻薄感光薄膜之前厚感光薄膜的平面形状相同。因此,使用二氧化硅薄膜作为掩膜,将被蚀刻的薄膜被蚀刻为具有与设计图案几乎相同的图案。 |
申请公布号 |
CN1249523C |
申请公布日期 |
2006.04.05 |
申请号 |
CN02123216.4 |
申请日期 |
2002.06.12 |
申请人 |
NEC液晶技术株式会社 |
发明人 |
城户秀作 |
分类号 |
G03F7/00(2006.01);G03F7/16(2006.01);G03F7/26(2006.01);G02F1/1333(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/00(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
刘晓峰 |
主权项 |
1.一种用于形成图案的工序,其包括:抗蚀图案形成步骤,该步骤为在衬底上的将被蚀刻的薄膜上依次涂覆第一抗蚀薄膜和第二抗蚀薄膜,并且进而通过将所述第一抗蚀薄膜和所述第二抗蚀薄膜形成图案,以便使所述第一抗蚀薄膜的覆盖范围的尺寸比所述第二抗蚀薄膜大,而形成初始抗蚀图案;第一形成图案步骤,该步骤为蚀刻所述将被蚀刻的薄膜,以便通过将所述抗蚀图案用作掩膜而在所述将被蚀刻的薄膜中形成第一图案;及抗蚀剂蚀刻步骤,该步骤为蚀刻所述初始抗蚀图案,以便除去至少一部分所述第一抗蚀薄膜,所述至少一部分没有被所述第二抗蚀薄膜覆盖,从而形成由所述第一抗蚀薄膜和所述第二抗蚀薄膜组成的剩余抗蚀图案,所述抗蚀剂蚀刻步骤还进一步被构造为:至少在所述抗蚀剂蚀刻步骤期间,所述第二抗蚀薄膜处于比所述第一抗蚀薄膜对干蚀刻具有更高抗蚀特性的抗蚀薄膜状态。 |
地址 |
日本神奈川县 |