静电防护电路

摘要

本发明提出一静电防护电路。该静电防护电路与一第一和一第二节点耦接，用以将一静电电流放电。该静电防护电路包含有形成于一基质上的一第一晶体管，该第一晶体管的栅极和一第一扩散层与该第一节点耦接，用以接收该静电电流，而一第二晶体管与该第一晶体管串接，且该第二晶体管的栅极耦接到该第二节点用以将该静电电流放电，其中该第一晶体管提供一N/P接面，该N/P接面靠近该第一晶体管的扩散层，用以将该静电电流引入一寄生晶体管，该寄生晶体管是寄生于该基质和该第二晶体管间。本发明所述静电防护电路，借由额外增加的晶体管来当作是金属硅化物隔绝层，以提供更大的电阻来保护静电防护电路，且不需额外的光罩。

主权项

1、一种静电防护电路，耦接到一第一和一第二节点，用以将一静电电流放电，该静电防护电路包含有：至少一薄氧化层晶体管，形成于一基质上，耦接到该第一节点用以接收该静电电流；及至少一厚氧化层晶体管串接在该薄氧化层晶体管上，该厚氧化层晶体管的栅极耦接到该第二节点用以将该静电电流放电，其中该薄氧化层晶体管提供一N/P接面，该N/P接面靠近该薄氧化层晶体管其中一个扩散层区域，用以将该静电电流引入一寄生晶体管，该寄生晶体管是寄生于该基质和该厚氧化层晶体管间。