| 发明名称 | 化学机械研磨工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有高产出能力的化学机械研磨工艺。首先，将形成有金属层以及阻挡层金属内连线的晶片加载CMP机中，接着，利用一第一研磨垫，在相同的研磨速率下将金属层研磨掉，直到暴露出下方的阻挡层，其中分散于第一研磨垫上的第一研磨浆对阻挡层具有高研磨选择比。经过前述的第一研磨步骤后，接着进行第二研磨步骤，利用一第二研磨垫以及第二研磨浆，将暴露出的阻挡层研磨去除。根据本发明，第一研磨浆的研磨选择比(铜对阻挡层)需至少大于30，优选大于100。 | ||
| 申请公布号 | CN1755901A | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN200410083234.3 | 申请日期 | 2004.09.29 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 许嘉麟;蔡胜群 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);B24B1/00(2006.01);B24B37/00(2006.01);C09K3/14(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种化学机械研磨工艺，包括下列步骤：提供形成有金属层以及阻挡层金属内连线的晶片；进行第一研磨步骤，利用一第一研磨垫，在固定的研磨速率下将金属层研磨掉，直到暴露出下方的阻挡层，其中分散于第一研磨垫上的第一研磨浆对阻挡层具有高研磨选择比；以及进行第二研磨步骤，利用一第二研磨垫以及第二研磨浆，将暴露出的阻挡层研磨去除。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||