| 发明名称 | 包括LDMOS晶体管的半导体器件 | ||
| 摘要 | 半导体器件(100)包括LDMOS晶体管，其包括：P型硅衬底(102)；形成在P型硅衬底(102)上的栅电极(120)；在水平方向上远离栅电极(120)形成的漏(第二N型扩散区109)；形成在漏(第二N型扩散区109)上的漏电极(130)；位于栅电极(120)和漏电极(130)之间并且具有比栅绝缘膜(112)的膜厚度厚的膜厚度的绝缘膜(场氧化膜106)；以及在绝缘膜上沿漏电极(130)形成的电场控制电极(118)。 | ||
| 申请公布号 | CN1755944A | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN200510106819.7 | 申请日期 | 2005.09.22 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 藤井宏基 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种包括LDMOS晶体管的半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅电极；在水平方向上远离所述栅电极形成的漏；形成在所述漏上的漏电极；绝缘膜，其具有比栅绝缘膜的膜厚度厚的膜厚度并且位于所述栅电极和所述漏之间；以及电场控制电极，其沿所述漏电极形成在所述绝缘膜上。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||