发明名称 Phase change memory devices and methods of forming the same
摘要
申请公布号 KR100568109(B1) 申请公布日期 2006.04.05
申请号 KR20030083551 申请日期 2003.11.24
申请人 发明人
分类号 H01L27/105;H01L27/108;G01C1/10;G11C11/56;G11C13/00;H01L27/10;H01L45/00 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
主权项
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