发明名称 |
细二氧化硅颗粒 |
摘要 |
可通过在火焰中反应得到并且平均粒度为0.05-1μm的细二氧化硅颗粒,特征在于当通过小角度X-射线散射测量时,在50nm-150nm分析范围内的分形参数α内的分形参数α<SUB>2</SUB>满足下面的表达式(1)和(2)所示的条件:-0.0068S+2.548≤α0.0011S+1.158≤α<SUB>2</SUB>≤-0.0011S+2.058 (2),其中表达式(1)和(2)中的S表示二氧化硅细颗粒的BET比表面积(m<SUP>2</SUP>/g)。当它们用作半导体密封树脂用填充材料时,以及用作磨料和喷墨纸涂层等的填充材料时,可被高度压实填充而不增加粘度,当用作树脂填料时可有利地在得到的模型中展现强度,当用作静电复制调色剂外添加剂时,可赋予调色剂良好的流动性和为调色剂树脂颗粒提供良好的防脱落特性。 |
申请公布号 |
CN1756720A |
申请公布日期 |
2006.04.05 |
申请号 |
CN200380110022.3 |
申请日期 |
2003.12.25 |
申请人 |
株式会社德山 |
发明人 |
大原雅和;木村稔;青木博男 |
分类号 |
C01B33/18(2006.01);C08K3/36(2006.01);C09C1/30(2006.01);G03G9/08(2006.01) |
主分类号 |
C01B33/18(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
范赤;赵苏林 |
主权项 |
1.平均粒度为0.05-1μm的细二氧化硅颗粒,其中在小角度X-射线散射测量中,在从50nm到150nm的长度处的分形结构参数α1和在从150nm到353nm的长度处的分形结构参数α2满足下面的式(1)和式(2):-0.0068S+2.548≤α1≤-0.0068S+3.748 (1)-0.0011S+1.158≤α2≤-0.0011S+2.058 (2)其中S为细二氧化硅颗粒的BET比表面积(m2/g)。 |
地址 |
日本山口县周南市 |