| 发明名称 | 强电介质电容器及其制造方法以及半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 提供一种强电介质电容器及其制造方法，可以使强电介质薄膜的极化反转容易进行，并增大极化反转电荷。具有下部电极、强电介质薄膜和上部电极的强电介质电容器的特征在于，上述上部电极由Ru<SUB>1-x</SUB>O<SUB>x</SUB>(X在0.005以上0.05以下；Ru金属中的氧含量为0.5～5atm％)构成，同时具有Ru金属晶相。 | ||
| 申请公布号 | CN1249814C | 申请公布日期 | 2006.04.05 |
| 申请号 | CN03136432.2 | 申请日期 | 2003.05.15 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 长谷卓 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L27/10(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;关兆辉 |
| 主权项 | 1.一种强电介质电容器，具有：下部电极；设于上述下部电极上面的强电介质薄膜；以及设于上述强电介质薄膜上面的上部电极，其特征在于，上述上部电极及上述下部电极中的任一方或双方电极由Ru1-xOx构成，同时具有Ru金属晶相，其中，X在0.005以上、0.05以下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||