首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 METHODS OF FORMING A PHOSPHORUS DOPED SILICON DIOXIDE LAYER
摘要
申请公布号 EP1641958(A2) 申请公布日期 2006.04.05
申请号 EP20040777377 申请日期 2004.06.30
申请人 发明人
分类号 C23C16/04;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/316;H01L21/762;(IPC1-7):C23C16/40 主分类号 C23C16/04
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com