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经营范围
发明名称
METHOD FOR FABRICATION OF DEEP CONTACT HOLE IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
KR20060029002(A)
申请公布日期
2006.04.04
申请号
KR20040077955
申请日期
2004.09.30
申请人
HYNIX SEMICONDUCTOR INC.
发明人
LEE, SUNG KWON
分类号
H01L27/108
主分类号
H01L27/108
代理机构
代理人
主权项
地址
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