| 摘要 |
一种制作具有增进之电性隔离性能的浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation；STI)结构的方法。此方法包括：提供半导体基材，此半导体基材包括覆盖之氧化矽层位于半导体基材上以及硬罩幕层位于氧化矽层上；在第一蚀刻制程中进行乾蚀刻，以形成图案化之硬罩幕开口，供蚀刻浅沟渠隔离开口；在第二蚀刻制程中对半导体基材进行乾蚀刻，以形成浅沟渠隔离开口之上部，并形成高分子聚合物层沿着浅沟渠隔离开口之侧壁部分；以及在第三蚀刻制程中对浅沟渠隔离开口进行乾蚀刻，以形成复数个圆形之底部转角以及复数个圆形之上端转角。 |
