化学机械研磨制程

摘要

本发明系提供一种具有高产出能力的化学机械研磨制程。首先，将形成有金属层以及阻障层金属内连线之晶圆载入CMP机台，接着，利用一第一研磨垫，在相同的研磨速率下将金属层研磨掉，直到暴露出下方的阻障层，其中分散于第一研磨垫上的第一研磨浆对阻障层具有高研磨选择比。经过前述之第一研磨步骤后，接着进行第二研磨步骤，利用一第二研磨垫以及第二研磨浆，将暴露出的阻障层研磨去除。根据本发明，第一研磨浆的研磨选择比(铜对阻障层)需至少大于30，较佳大于100。