发明名称 半导体发光元件及其制程
摘要 本发明系提供一种半导体发光元件及其制程。根据本发明之半导体发光元件包含一多层发光结构及一导热层。该多层发光结构包含一第一层,该第一层具有一外露的第一表面,并且具有一第一导热系数。该导热层系形成且覆盖该第一层之第一表面上,并且该导热层具有一第二热导系数。其中,该第二导热系数系大于该第一导热系数。
申请公布号 TW200611418 申请公布日期 2006.04.01
申请号 TW093128586 申请日期 2004.09.21
申请人 国联光电科技股份有限公司 发明人 杨正中;马少崑;杜全成;吴仁钊
分类号 H01L31/00 主分类号 H01L31/00
代理机构 代理人 陶霖
主权项
地址 新竹市新竹科学园区力行路10号9楼