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发明名称
半导体发光元件及其制程
摘要
本发明系提供一种半导体发光元件及其制程。根据本发明之半导体发光元件包含一多层发光结构及一导热层。该多层发光结构包含一第一层,该第一层具有一外露的第一表面,并且具有一第一导热系数。该导热层系形成且覆盖该第一层之第一表面上,并且该导热层具有一第二热导系数。其中,该第二导热系数系大于该第一导热系数。
申请公布号
TW200611418
申请公布日期
2006.04.01
申请号
TW093128586
申请日期
2004.09.21
申请人
国联光电科技股份有限公司
发明人
杨正中;马少崑;杜全成;吴仁钊
分类号
H01L31/00
主分类号
H01L31/00
代理机构
代理人
陶霖
主权项
地址
新竹市新竹科学园区力行路10号9楼
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