发明名称 | 记忆胞及记忆胞的制造方法 | ||
摘要 | 一种具有电荷捕捉结构之记忆胞,其电荷捕捉结构是以一层导电团的形式位于上绝缘层与下绝缘层间。这种记忆胞可经由不同方式建构并以相近于氮化物唯读记忆胞的方式操作。 | ||
申请公布号 | TW200611407 | 申请公布日期 | 2006.04.01 |
申请号 | TW093128810 | 申请日期 | 2004.09.23 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 古延辉;钱蓉臻 |
分类号 | H01L29/78 | 主分类号 | H01L29/78 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |