发明名称 半导体装置
摘要 一种电容器具有一MOS闸极结构其中一闸极绝缘薄膜系保持在一闸极端与一接地端之间作为一电介质,一开关单元系连接在该闸极端与一电源供应器之间,该接地端系连接至地,一切换该开关单元之状态在一导通状态与一非导通状态之间的开关控制电路被提供,一预定电压与该闸端的一电压分别被输入至该开关控制电路的一非反相输入端与一反相输入端。当该闸极端之电压高于该预定电压时,该开关单元系导通的、并当该闸极端之电压低于该预定电压时是非导通的。
申请公布号 TW200611361 申请公布日期 2006.04.01
申请号 TW094102001 申请日期 2005.01.24
申请人 富士通股份有限公司 发明人 若山繁俊;甲斐睦章
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本