| 主权项 |
1.一种主动式有机发光二极体之画素结构,至少包 括: 一有机发光二极体; 一资料配线; 一扫描配线; 一开关薄膜电晶体,具有一第一闸极、一第一源极 、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极,其中该第一闸 极系耦接至该扫瞄配线,而该第一源极系耦接至该 资料配线; 一驱动薄膜电晶体,具有一第二闸极、一第二源极 、一第二汲极及一第二浅掺杂汲极,其中该第二闸 极系耦接至该第一汲极,而该第二汲极系耦接至该 有机发光二极体,且该第二浅掺杂汲极之离子掺杂 浓度与该第一浅掺杂汲极之离子掺杂浓度不同;以 及 一储存电容器,其系与该第一汲极及该第二闸极电 性连接。 2.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该第二浅掺杂汲极之离子掺 杂浓度系大于该第一浅掺杂汲极之离子掺杂浓度 。 3.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该开关薄膜电晶体系为P型 低温多晶矽薄膜电晶体。 4.如申请专利范围第3项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该驱动薄膜电晶体系为P型 低温多晶矽薄膜电晶体。 5.如申请专利范围第1项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该开关薄膜电晶体系为N型 低温多晶矽薄膜电晶体。 6.如申请专利范围第5项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该驱动薄膜电晶体系为N型 低温多晶矽薄膜电晶体。 7.一种主动式有机发光二极体之画素结构,至少包 括: 一有机发光二极体; 一资料配线; 一扫描配线; 一开关薄膜电晶体,具有一第一闸极、一第一源极 、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极,其中该第一闸 极系耦接至该扫瞄配线,而该第一汲极系耦接至该 资料配线; 一驱动薄膜电晶体,具有一第二闸极、一第二源极 、一第二汲极及一第二浅掺杂汲极,其中该第二闸 极系耦接至该第一源极,而该第二汲极系耦接至该 有机发光二极体,且该第二浅掺杂汲极之长度与该 第一浅掺杂汲极之长度不同;以及 一储存电容器,其系与该第一汲极及该第二闸极电 性连接。 8.如申请专利范围第7项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该第一浅掺杂汲极之长度系 大于该第二浅掺杂汲极之长度。 9.如申请专利范围第7项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该开关薄膜电晶体系为P型 低温多晶矽薄膜电晶体。 10.如申请专利范围第9项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该驱动薄膜电晶体系为P型 低温多晶矽薄膜电晶体。 11.如申请专利范围第7项所述之主动式有机发光二 极体之画素结构,其中该开关薄膜电晶体系为N型 低温多晶矽薄膜电晶体。 12.如申请专利范围第11项所述之主动式有机发光 二极体之画素结构,其中该驱动薄膜电晶体系为N 型低温多晶矽薄膜电晶体。 13.一种主动式有机发光二极体之画素结构,至少包 括: 一有机发光二极体; 一资料配线; 一扫描配线; 一开关薄膜电晶体,具有一第一闸极、一第一源极 、一第一汲极及一第一浅掺杂汲极,其中该第一闸 极系耦接至该扫瞄配线,而该第一汲极系耦接至该 资料配线; 一驱动薄膜电晶体,具有一第二闸极、一第二源极 及一第二汲极,其中该第二闸极系耦接至该第一源 极,而该第二汲极系耦接至该有机发光二极体;以 及 一储存电容器,其系与该第一汲极及该第二闸极电 性连接。 14.如申请专利范围第13项所述之主动式有机发光 二极体之画素结构,其中该开关薄膜电晶体系为P 型低温多晶矽薄膜电晶体。 15.如申请专利范围第14项所述之主动式有机发光 二极体之画素结构,其中该驱动薄膜电晶体系为P 型低温多晶矽薄膜电晶体。 16.如申请专利范围第13项所述之主动式有机发光 二极体之画素结构,其中该开关薄膜电晶体系为N 型低温多晶矽薄膜电晶体。 17.如申请专利范围第16项所述之主动式有机发光 二极体之画素结构,其中该驱动薄膜电晶体系为N 型低温多晶矽薄膜电晶体。 图式简单说明: 第1图绘示为习知一种主动式有机发光二极体之画 素结构的示意图。 第2图绘示为习知多晶矽型态之驱动薄模电晶体之 驱动电压与传输电流的关系图。 第3图绘示为本发明之较佳实施例中一种主动式有 机发光二极体之画素结构的示意图。 第4图绘示为上述之开关薄膜电晶体的剖面示意图 。 第5图绘示为上述之驱动薄膜电晶体的剖面示意图 。 第6图绘示为本发明之具有浅掺杂汲极之驱动薄膜 电晶体的驱动电压与传输电流的关系图。 |
