| 主权项 |
1.一种发光二极体,包含: 一透光基板; 一金属反射层,系形成于前述透光基板之下; 一半导体磊晶层,系形成于前述透光基板之上,且 该半导体磊晶层具有一第一表面与一第二表面,该 第一表面与前述透光基板之距离大于该第二表面 与前述透光基板之距离; 一第一电极,系形成于前述第一表面; 一第一打线衬垫,系形成于前述第一表面与前述第 一电极之中,且该第一打线衬垫部分形成于该第一 电极之表面; 一第二电极,系形成于前述第二表面;以及 一第二打线衬垫,系形成于前述第二电极之表面。 2.如申请专利范围第1项记载之发光二极体,其中前 述第一表面及第二表面具有织状纹路结构。 3.如申请专利范围第1项记载之发光二极体,其中前 述金属反射层之材料为铝、银、铑其中之一或其 组合。 4.如申请专利范围第3项记载之发光二极体,其中前 述金属反射层之材料更包含钛、铬、锡、钽、镍 、金其中之一或其组合。 5.如申请专利范围第1项记载之发光二极体,其中前 述第一电极为一透光导电层,该透光导电层系为一 导电透光氧化层,而该导电透光氧化层之材料为氧 化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化铟铈、氧化锌、 氧化铟锌、氧化镁锌、氧化锡镉、氧化铟锡其中 之一、或其组合。 6.如申请专利范围第1项记载之发光二极体,其中前 述半导体磊晶层为一氮化镓系半导体磊晶层。 7.如申请专利范围第1项记载之发光二极体,其中前 述半导体磊晶层之第一表面为一N型欧姆接触层、 一P型欧姆接触层、或一双掺杂型欧姆接触层三者 其中之一。 8.如申请专利范围第1项记载之发光二极体,其中前 述半导体磊晶层包含一低温缓冲层、一高温缓冲 层、一N型欧姆接触层、一发光层、一P型披覆层 、以及一表面欧姆接触层。 9.如申请专利范围第1项记载之发光二极体,其中前 述半导体磊晶层之第二表面更包含一液态玻璃材 料。 10.如申请专利范围第8项记载之发光二极体,其中 前述表面欧姆接触层之表面具有织状纹路结构。 11.如申请专利范围第8项记载之发光二极体,其中 前述N型欧姆接触层之表面具有织状纹路结构。 12.如申请专利范围第8项记载之发光二极体,其中 前述第一表面为前述表面欧姆接触层之表面。 13.如申请专利范围第8项记载之发光二极体,其中 前述第二表面为前述N型欧姆接触层经蚀刻法蚀刻 后之裸露表面。 14.如申请专利范围第10项记载之发光二极体,其中 前述表面欧姆接触层系于磊晶成长过程中形成。 15.如申请专利范围第11项记载之发光二极体,其中 前述N型欧姆接触层之表面系经蚀刻法蚀刻后形成 。 16.如申请专利范围第1项记载之发光二极体,其中 前述透光基板之材料为蓝宝石、氧化锌、氧化铝 锂其中之一。 17.一种发光二极体,包含: 一透光基板; 一金属反射层,系形成于前述透光基板之下; 一缓冲层,系形成于前述透光基板之上; 一N型欧姆接触层,系形成于前述缓冲层之上,且该N 型欧姆接触层之表面具有织状纹路结构; 一发光层,系形成于前述N型欧姆接触层之上; 一P型披覆层,系形成于前述发光层之上; 一表面欧姆接触层,系形成于前述P型披覆层之上, 且该表面欧姆接触层之表面具有织状纹路结构; 一第一电极,系形成于前述表面欧姆接触层之表面 ,用以进行欧姆接触; 一第一打线衬垫,系形成于前述表面欧姆接触层之 表面与前述第一电极之中,且该第一打线衬垫部分 形成于该第一电极之表面; 一第二电极,系形成于前述N型欧姆接触层之表面, 用以进行N型欧姆接触;以及 一第二打线衬垫,系形成于前述第二电极之表面。 18.如申请专利范围第17项记载之发光二极体,其中 前述金属反射层之材料为铝、银、铑其中之一或 其组合。 19.如申请专利范围第18项记载之发光二极体,其中 前述金属反射层之材料亦包含钛、铬、锡、钽、 镍、金其中之一或其组合。 20.如申请专利范围第17项记载之发光二极体,其中 前述表面欧姆接触层为一N型欧姆接触层、一P型 欧姆接触层、或一双掺杂型欧姆接触层三者其中 之一。 21.如申请专利范围第17项记载之发光二极体,其中 前述N型欧姆接触层之上更包含一液态玻璃材料。 22.如申请专利范围第17项记载之发光二极体,其中 前述第一电极为一透光导电层,该透光导电层系为 一导电透光氧化层,而该导电透光氧化层之材料为 氧化铟、氧化锡、氧化铟钼、氧化铟铈、氧化锌 、氧化铟锌、氧化镁锌、氧化锡镉、氧化铟锡其 中之一、或其组合。 23.如申请专利范围第17项记载之发光二极体,其中 前述表面欧姆接触层系于磊晶成长过程中形成。 24.如申请专利范围第17项记载之发光二极体,其中 前述N型欧姆接触层之表面系经蚀刻法蚀刻后形成 。 25.如申请专利范围第17项记载之发光二极体,其中 前述透光基板之材料为蓝宝石、氧化锌、氧化铝 锂其中之一。 图式简单说明: 第1图显示一种习知氮化镓系发光二极体之示意图 。 第2图显示沿第1图之氮化镓系发光二极体上之ab线 段进行剖面之剖面图。 第3图显示本发明之发光二极体之示意图。 第4图显示沿第3图发光二极体上之cd线段进行剖面 之剖面图。 |
