| 主权项 |
1.一种发光二极体之构造改良,其主要构造系包括 有: 一晶粒基板; 一固设于该晶粒基板上具有一PN界面之发光二极 体磊晶层,该磊晶层之同一表面部分位置个别设有 一第一电极及一第二电极; 至少一导电片,固设于该第一电极、第二电极及其 组合式之其中之一者;及 两供电线路,固设于该发光二极体磊晶层之两侧, 并于两供电线路之间设有一散热层,该散热层主要 系可用以包覆于该PN界面之周边位置。 2.如申请专利范围第1项所述之发光二极体构造改 良,其中该导电片系由一具有散热功能之材料所制 成者。 3.如申请专利范围第1项所述之发光二极体构造改 良,其中该发光二极体系为一覆晶构装型发光二极 体。 4.如申请专利范围第1项所述之发光二极体构造改 良,其中该导电片系可弯折成任意几何形状者。 5.如申请专利范围第1项所述之发光二极体构造改 良,其中该导电片系为一"L"型态样者。 6.如申请专利范围第5项所述之发光二极体构造改 良,其中该LED系为一SMD型发光二极体。 7.如申请专利范围第1项所述之发光二极体构造改 良,尚包括有至少一引线,可个别固设于该导电片 上。 8.如申请专利范围第1项所述之发光二极体构造改 良,其中该导电片系可为该第一电极、第二电极及 其组合式之其中之一的延伸电极,该延伸电极可延 伸超出发光二极体磊晶层侧边之垂直延伸位置者 。 9.如申请专利范围第1项所述之发光二极体构造改 良,尚包括有一反光层,固设于该磊晶层与第一电 极之间。 10.如申请专利范围第1项所述之发光二极体构造改 良,尚包括有一保护层,设于该供电线路内,并用以 包覆该发光二极体之表面。 11.如申请专利范围第10项所述之发光二极体构造 改良,其中该保护层内尚可设有一色彩转换层。 12.如申请专利范围第11项所述之发光二极体构造 改良,其中该色彩转换层系可选择由一萤光体、磷 光体及其组合式其中之一所组成者。 13.一种发光二极体之构造改良,其主要构造系包括 有: 一晶粒基板; 一固设于该晶粒基板上具有一PN界面之发光二极 体磊晶层,该磊晶层之同一表面部分位置个别设有 一第一电极及一第二电极; 至少一导电片,固设于该第一电极、第二电极及其 组合式之其中之一者;及 至少一引线,可个别固设于该导电片上。 图式简单说明: 第1图:系习用覆晶封装发光二极体之构造截面图; 第2图:系本发明发光二极体一较佳实施例之构造 截面图; 第3图:系本发明又一实施例之构造剖视图; 第4图:系本发明又一实施例之构造剖视图;及 第5图:系本发明又一实施例之构造剖视图。 |
