发明名称 一种控制晶片之设定装置
摘要 一种设定装置,系用来控制一控制晶片内所输出之不同时脉信号的相位差。该设定装置包含:一外部单元,系配置于控制晶片之外部,用来提供复数个调整讯号;以及一设定信号产生单元,系配置于控制晶片之内部,并接收复数个调整讯号,并根据该等调整讯号产生一设定信号。因此,该控制晶片可依据该设定信号,读取一相对应初始值。且该控制晶片可依据该相对应初始值,产生复数个时脉信号,其中该些时脉信号之相位差系与该相对应初始值有关。
申请公布号 TWI252392 申请公布日期 2006.04.01
申请号 TW093103368 申请日期 2004.02.12
申请人 瑞昱半导体股份有限公司 发明人 戴国霖;陈圣凯;杨坊山
分类号 G06F1/04 主分类号 G06F1/04
代理机构 代理人 叶信金 新竹市武陵路271巷57弄10号6楼
主权项 1.一种控制晶片之设定装置,系用来提供一设定信 号给该控制晶片,该控制晶片之设定装置包含: 一外部单元,系配置于前述控制晶片之外部,用来 提供复数个调整讯号;以及 一设定信号产生单元,接收前述复数个调整讯号, 并根据该等复数个调整讯号产生前述设定信号; 其中,该控制晶片依据该设定信号,读取一相对应 初始値。 2.如申请专利范围第1项所记载之控制晶片之设定 装置,其中前述外部单元为电阻分压电路,并产生 前述复数个调整讯号。 3.如申请专利范围第1或第2项所记载之控制晶片之 设定装置,其中前述调整讯号包含一粗调调整讯号 、以及一微调调整讯号。 4.如申请专利范围第3项所记载之控制晶片之设定 装置,其中前述设定信号产生单元包含: 一第一类比数位转换器,系接收前述粗调调整讯号 ,并输出第二位址信号; 一第二类比数位转换器,系接收前述微调调整讯号 ,并输出第三位址信号;以及 一记忆体单元,系接收前述第二位址信号、以及第 三位址信号作为位址资料,并输出该位址资料所储 存之资料作为前述设定信号。 5.如申请专利范围第1项所记载之控制晶片之设定 装置,其中前述设定讯号还包含一符号调整讯号。 6.如申请专利范围第5项所记载之控制晶片之设定 装置,其中前述调整讯号包含一粗调调整设定讯号 以及一微调调整设定讯号。 7.如申请专利范围第6项所记载之控制晶片之设定 装置,其中前述设定信号产生单元包含: 一比较器,系接收前述符号调整讯号,并与一临界 电压値比较后,产生第一位址信号; 一第一类比数位转换器,系接收前述粗调调整讯号 ,并输出第二位址信号; 一第二类比数位转换器,系接收前述微调调整讯号 ,并输出第三位址信号;以及 一记忆体单元,系接收前述第一位址信号、第二位 址信号、以及第三位址信号作为位址资料,并输出 该位址资料所储存之资料作为前述设定信号。 8.如申请专利范围第1项所记载之控制晶片之设定 装置,其中前述外部单元为指拨开关,并产生前述 复数个调整讯号。 9.如申请专利范围第8项所记载之控制晶片之设定 装置,其中前述设定信号产生单元包含一记忆体单 元,系接收前述复数个调整讯号作为位址资料,并 输出该位址资料所储存之资料作为前述设定信号 。 10.如申请专利范围第1项所记载之控制晶片之设定 装置,其中前述控制晶片依据该相对应初始値,产 生复数个时脉信号,其中该些时脉信号之相位差系 与该相对应初始値有关。 11.如申请专利范围第10项所记载之控制晶片之设 定装置,其中前述控制晶片系为一时脉控制晶片。 图式简单说明: 图1绘示的是习知时脉信号产生器之讯号时序设定 装置。 图2绘示的是本发明控制晶片之设定装置应用于一 控制系统之方块图。 图3绘示的是设定信号产生单元的方块图。
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