| 主权项 |
1.一种矽晶微麦克风之制作方法(二),其包含有下 列步骤: (a)提供一矽基板,且该矽基板之顶、底面分别有一 介电层; (b)于该矽基板顶面之介电层上定义图形,而后微影 蚀刻出所需的图形,藉以形成多数凸块; (c)于该矽基板以及介电层上沈积形成一下牺牲层; (d)研磨该下牺牲层,使其表面平坦; (e)沉积一低应力多晶矽(Polysilicon)薄膜材料于该下 牺牲层之顶面,并掺杂硼或磷离子之后进行回火, 并利用微影蚀刻技术定义图形,以形成一振动膜; (f)于该振动膜之顶面沈积形成一上牺牲层; (g)于该上牺牲层上微影蚀刻出复数个凹槽; (h)沉积一低应力多晶矽(Polysilicon)薄膜于该上牺牲 层上方,藉以形成一背板电极; (i)在该背板电极上方沉积一氮化矽薄膜以形成一 背板,再利用微影与蚀刻制程定义此层图形,且于 该上牺牲层之蚀刻凹槽处,相对沉积形成一支撑结 构; (j)蚀刻该背板与背板电极,进而形成复数个音孔; (k)利用微影与蚀刻制程在矽基材背面定义一蚀刻 窗口; (l)于该矽基材背面之蚀刻窗口蚀刻出一凹槽,藉以 形成矽晶微麦克风之共振腔体; (m)去除该上牺牲层与下牺牲层。 2.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该矽基板之介电层系由二氧化矽 或氮化矽或两者之组成。 3.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该振动膜之厚度为0.5~3.0m。 4.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该牺牲层系为低温氧化物或磷矽 玻璃材质。 5.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该下牺牲层之厚度为1.0~5.0m。 6.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该上牺牲层之厚度为1.0~8.0m。 7.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该背板电极厚度为0.1~3.0m。 8.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该背板厚度为0.5~6.0m。 9.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该背板电极系为一多晶矽材料。 10.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该矽基板顶面之介电层微影蚀刻 时,系可过度蚀刻至矽基材上。 11.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该下牺牲层之表面系可利用化学 机械研磨或回流制程使其表面平坦化。 12.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其沈积技术系采用低压化学气相沉积 或电浆辅助化学气相沉积法。 13.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该共振腔体之蚀刻系采用非等向 性化学湿式蚀刻或诱导式耦合电浆乾式蚀刻技术 。 14.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),其中该牺牲层之蚀刻技术系采用化学 湿式蚀刻技术,所使用之化学蚀刻液包含氢氟酸, 缓冲式氧化物蚀刻液。 15.依据申请专利范围第1项所述矽晶微麦克风之制 作方法(二),该牺牲层之蚀刻技术系采用氢氟酸蒸 气蚀刻或等向性反应式离子乾式蚀刻技术。 图式简单说明: 第一图系一习知微麦克风之示意图。 第二图系本发明矽晶微麦克风之制作流程图; 第三图系本发明矽晶微麦克风另一实施例之示意 图。 |
