| 主权项 |
1.一种金属单层膜形成方法,其特征系在基体之表 面形成金属单层膜者,且在形成金属单层膜之前, 于基体之表面实施矽烷偶合处理。 2.如请求项1之金属单层膜形成方法,其中构成基体 之材料系SiO2系材料;构成金属单层膜之材料系选 自由金、白金、银、钯、铷及铑所组成之群中之 一种金属。 3.一种配线形成方法,其特征在于包含以下工序: (A)在基体上形成已除去用来形成配线的部分之光 阻层者; (B)在露出之基体表面实施矽烷偶合处理者; (C)在光阻层及基体上形成金属单层膜者;及 (D)除去光阻层而在基体上残留包含金属单层膜之 配线者。 4.一种配线形成方法,其特征在于包含以下工序: (A)在基体之表面实施矽烷偶合处理者; (B)在经过矽烷偶合处理之基体之表面形成金属单 层膜者;及 (C)藉由蚀刻法选择性除去金属单层膜,而在基体上 形成包含金属单层膜之配线者。 5.如请求项3或4之配线形成方法,其中构成基体之 材料系SiO2系材料;构成金属单层膜之材料系选自 由金、白金、银、钯、铷及铑所组成之群中之一 种金属。 6.一种场效型电晶体之制造方法,其特征在于包含 以下工序: (A)在支撑体上形成闸极电极者; (B)在闸极电极上形成闸极绝缘膜者; (C)在闸极绝缘膜之表面实施矽烷偶合处理者; (D)在经过矽烷偶合处理之闸极绝缘膜上,形成包含 金属单层膜之源极/汲极电极者;及 (E)在源极/汲极电极间之闸极绝缘膜上,形成包含 半导体材料层之通道形成区域者。 7.如请求项6之场效型电晶体之制造方法,其中构成 闸极绝缘膜之材料系SiO2系材料;构成金属单层膜 之材料系选自由金、白金、银、钯、铷及铑所组 成之群中之一种金属。 8.一种场效型电晶体之制造方法,其特征在于包含 以下工序: (A)在基材之表面实施矽烷偶合处理者; (B)在经过矽烷偶合处理之基材表面,形成包含金属 单层膜之源极/汲极电极者; (C)在源极/汲极电极及其间之基材上形成半导体材 料层,而在源极/汲极电极间获得包含半导体材料 层之通道形成区域者; (D)在半导体材料层上形成闸极绝缘膜者;及 (E)在闸极绝缘膜上形成闸极电极者。 9.如请求项8之场效型电晶体之制造方法,其中构成 基材之材料系SiO2系材料;构成金属单层膜之材料 系选自由金、白金、银、钯、铷及铑所组成之群 中之一种金属。 图式简单说明: 图1(A)-(D)系用于说明实施例1之场效型电晶体的制 造方法之支撑体等之模式化局部剖面图。 图2(A)-(C)系接续图1(D),用于说明实施例1之场效型 电晶体的制造方法之支撑体等之模式化局部剖面 图。 图3系接续图2(C),用于说明实施例1之场效型电晶体 的制造方法之支撑体等模式化局部剖面图。 图4(A)-(D)系用于说明实施例2之场效型电晶体之制 造方法之支撑体等模式化局部剖面图。 图5系接续图4(D),用于说明实施例2之场效型电晶体 之制造方法之支撑体等模式化局部剖面图。 图6例示适用于构成本发明使用之半导体材料层的 导电性高分子材料之构造式。图7例示适用于构成 本发明使用之半导体材料层的导电性高分子材料 之构造式。 图8例示适用于构成本发明使用之半导体材料层的 导电性高分子材料之构造式。 |
