| 主权项 |
1.一种晶穴朝下型封装构造,包含: 一晶片载体,其系具有一表面以及一朝向该表面之 晶穴; 一晶片,其系设置于该晶穴中; 复数个电性导接元件,其系电性连接该晶片与该晶 片载体; 一成形盖(shaping cover),其系对应于该晶穴而设置于 该晶片载体,该成形盖与该晶穴系构成一胶体填充 空间;及 一胶体,其系形成于该胶体填充空间内; 其中该成形盖系具有一注胶孔,以供该胶体点涂通 过。 2.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型封装构 造,其中该成形盖之尺寸系略大于该晶穴之尺寸。 3.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型封装构 造,其中该成形盖系为一金属遮盖。 4.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型封装构 造,其中该成形盖系以一胶体黏着结合于该晶片载 体。 5.如申请专利范围第4项所述之晶穴朝下型封装构 造,其中用该胶体系具有热固化性。 6.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型封装构 造,另包含复数个焊球,其系设于该晶片载体之该 表面上。 7.如申请专利范围第6项所述之晶穴朝下型封装构 造,其中该些焊球之高度系大于该成形盖之高度。 8.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型封装构 造,其中该晶片载体系包含一电路基板。 9.如申请专利范围第8项所述之晶穴朝下型封装构 造,其中该电路基板系具有一通孔,该晶片载体系 更包含有一散热片,由该电路基板之通孔与该散热 片构成该晶穴。 10.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型封装构 造,其中该晶片载体系为一具有该晶穴之电路基板 。 11.如申请专利范围第1项所述之晶穴朝下型封装构 造,其中该胶体系密封该晶片与该些电性导接元件 。 12.一种晶穴朝下型封装方法,包含: 提供一晶片载体,该晶片载体系具有一表面以及一 朝向该表面之晶穴; 设置一晶片于该晶穴中; 形成复数个电性导接元件以电性连接该晶片与该 晶片载体; 对应于该晶穴,设置一成形盖于该晶片载体,该成 形盖与该晶穴系构成一胶体填充空间,其中该成形 盖系具有一注胶孔;及 经由该注胶孔,点涂形成一胶体于该胶体填充空间 内。 13.如申请专利范围第12项所述之晶穴朝下型封装 方法,其中该成形盖之尺寸系略大于该晶穴之尺寸 。 14.如申请专利范围第12项所述之晶穴朝下型封装 方法,其中该成形盖系为一金属遮盖。 15.如申请专利范围第12项所述之晶穴朝下型封装 方法,其中该成形盖系以一黏胶黏着结合于该晶片 载体。 16.如申请专利范围第15项所述之晶穴朝下型封装 方法,其中该黏胶系具有热固化性。 17.如申请专利范围第12项所述之晶穴朝下型封装 方法,另包含有:设置复数个焊球于该晶片载体之 该表面。 18.如申请专利范围第17项所述之晶穴朝下型封装 方法,其中该些焊球之高度系大于该成形盖之高度 。 19.如申请专利范围第12项所述之晶穴朝下型封装 方法,其中该晶片载体系包含一电路基板。 20.如申请专利范围第19项所述之晶穴朝下型封装 方法,其中该电路基板系具有一通孔,该晶片载体 系更包含有一散热片,由该电路基板之通孔与该散 热片系构成该晶穴。 21.如申请专利范围第12项所述之晶穴朝下型封装 方法,其中该晶片载体系为一具有该晶穴之电路基 板。 22.如申请专利范围第12项所述之晶穴朝下型封装 方法,其中该胶体系密封该晶片与该些电性导接元 件。 图式简单说明: 第1图:习知晶穴朝下型封装构造之截面示意图; 第2A至2C图:习知晶穴朝下型封装构造在封装过程 中之上视图; 第3图:依据本发明之具体实施例,一晶穴朝下型封 装构造之截面示意图; 第4A至4C图:依据本发明之具体实施例,该晶穴朝下 型封装构造在封装过程中之上视图;及 第5图:依据本发明之具体实施例,该晶穴朝下型封 装构造在形成一点涂胶体时之截面示意图。 |
