| 主权项 |
1.一种生成及供应氟气之装置,其配置于半导体处 理系统的气体供应系统内,该装置之特征为具有: 电解槽,其可在包括含氟化氢熔融盐之电解浴中电 解氟化氢以产生氟气, 圆柱体,其系储存选自氟化氮,氟化硫及氟化氯所 组成之族群中的取代气体, 气体切换区,其系连接至电解槽及圆柱体并且可选 择性地从电解槽供应氟气或从圆柱体供应取代气 体到气体利用区, 电解槽侦测器,其侦测电解槽之状态,及 控制器,其依电解槽侦测器所侦测到电解槽中之异 常状态,对气体切换区进行控制,以从圆柱体供给 取代气体到气体利用区中。 2.根据申请专利范围第1项之生成及供应氟气之装 置,其特征为电解槽侦测器侦测代表电解浴之组成 的状态。 3.根据申请专利范围第2项之生成及供应氟气之装 置,其特征为电解槽侦测器侦测选自电解浴之电流 特性,液位及温度的状态。 4.根据申请专利范围第1至3项中任一项之生成及供 应氟气之装置,其特征为装置额外地具有路径侦测 器,其可侦测供给氟气从电解槽到气体利用区之气 体供应路径中的异常状态;控制器,其依电解槽侦 测器所侦测到电解槽中之异常状态或依路径侦测 器所侦测之气体供应路径中之异常状态,对气体切 换区进行控制,以从圆柱体供给取代气体到气体利 用区中。 5.根据申请专利范围第4项之生成及供应氟气之装 置,其特征为气体供应路径具有缓冲区,其控制来 自电解槽之氟气被供应到气体切换区的压力及流 速;及路径侦测器具有侦测缓冲区之状态之缓冲区 侦测器。 6.根据申请专利范围第5项之生成及供应氟气之装 置,其特征为缓冲区具有加压来自电解槽之氟气的 压缩机,及侦测压缩机之操作状态之缓冲区侦测器 。 7.根据申请专利范围第5项之生成及供应氟气之装 置,其特征为缓冲区具有可暂时储存来自电解槽之 氟气的缓冲槽,及可侦测缓冲槽内压力之缓冲区侦 测器。 8.根据申请专利范围第5项之生成及供应氟气之装 置,其特征为缓冲区具有以指定流速供应来自电解 槽之氟气到气体切换区之流量控制器,及可侦测在 该流量控制器下之氟气流速的缓冲区侦测器。 9.根据申请专利范围第1项之生成及供应氟气之装 置,其特征为该取代气体包含氟化氯。 10.一种生成及供应氟气之装置,其被配置于半导体 处理系统的气体供应系统内,该装置之特征为具有 : 电解槽,其可在包括含氟化氢熔融盐之电解浴中电 解氟化氢以产生氟气, 圆柱体,其系储存选自氟化氮,氟化硫及氟化氯所 组成之族群中的取代气体, 气体切换区,其系连接至电解槽及圆柱体并且可选 择性地从电解槽供应氟气或从圆柱体供应取代气 体到气体利用区, 路径侦测器,其可侦测供应氟气从电解槽到气体利 用区之气体供应路径中的异常状态,及 控制器,其依路径侦测器所侦测到之气体供应路径 中的异常状态,对气体切换区进行控制,以从圆柱 体供给取代气体到气体利用区中。 11.根据申请专利范围第10项之生成及供应氟气之 装置,其特征为气体供应路径具有缓冲区,其控制 来自电解槽之氟气被供应到气体切换区的压力及 流速;及路径侦测器具有侦测缓冲区之状态之缓冲 区侦测器。 12.根据申请专利范围第11项之生成及供应氟气之 装置,其特征为缓冲区具有加压来自电解槽之氟气 的压缩机,及侦测压缩机之操作状态之缓冲区侦测 器。 13.根据申请专利范围第11项之生成及供应氟气之 装置,其特征为缓冲区具有可暂时储存来自电解槽 之氟气的缓冲槽,及可侦测缓冲槽内压力之缓冲区 侦测器。 14.根据申请专利范围第11项之生成及供应氟气之 装置,其特征为缓冲区具有以指定流速供应来自电 解槽之氟气到气体切换区之流量控制器,及可侦测 在该流量控制器下之氟气流速的缓冲区侦测器。 图式简单说明: 图1包含说明并入本发明具体实例之氟气生成及供 应装置的半导体处理系统之概要图。 图2包含可与图1所示之气体供应系统20组合使用之 半导体处理装置的示范变更概要图。 图3包含说明本发明另一具体实例之氟气生成及供 应装置的概要图。 图4包含说明本发明又一具体实例之氟气生成及供 应装置的概要图。 |
