| 主权项 |
1.一种主动式有机电激发光二极体驱动电路,本发 明之显示面板上每一条扫描线与每一条资料线交 叉构成之画素驱动电路,其中每一画素之驱动电路 包括: 一扫描重置TFT,该扫描重置TFT之闸极端(G)与该扫描 线连接,其汲极端(D)则连接至一资料线; 一储存电容,该储存电容有两端,系设置于上述扫 描重置TFT之源极端(S)与一电源供应线(Vdd)之间; 一驱动TFT,该驱动TFT之源极端(S)与上述电源供应线 (Vdd)相连接; 一侦测TFT,该侦测TFT之闸极端(G)与上述临界电压锁 住线连接,其汲极端(D)与上述驱动TFT之闸极端(G)相 连接,其源极端(S)与驱动TFT之汲极端(D)相连接; 一补偿电容,该补偿电容有两端,系设置于上述扫 描重置TFT之源极端(S)与侦测TFT之汲极端(D)之间; 一有机电激发光元件,该一端为阳极,与上述驱动 TFT之汲极端(D)相连接,另一端为阴极,该阴极接一 共阴极线; 同时显示面板有一开关元件,该开关元件系用以连 接上述共阴极线与接地端。 2.如申请专利范围第1项所述之主动式有机电激发 光二极体驱动电路,其中该显示基板上每个画素中 的侦测TFT都是由同一条临界电压锁住线来控制。 3.如申请专利范围第1项所述之主动式有机电激发 光二极体驱动电路,其中该显示基板上每个画素中 的驱动TFT之源极端(S)共接至同一电源供应线。 4.如申请专利范围第1项所述之主动式有机电激发 光二极体驱动电路,其中该显示基板上每个画素中 的有机电激发光元件的阴极共接至该共阴极线。 5.如申请专利范围第1项所述之主动式有机电激发 光二极体驱动电路,其中该开关元件系为一薄膜电 晶体。 6.如申请专利范围第1项所述之主动式有机电激发 光二极体驱动电路,其中该开关元件系由一显示信 号线所控制。 7.如申请专利范围第1项所述之主动式有机电激发 光二极体驱动电路,其中驱动该电路之方法系将驱 动信号周期分为一临界电压锁住阶段(Threshold-Lock Phase)、一写入阶段(Write Phase)与一显示阶段(Display Phase)等三个阶段。 8.如申请专利范围第7项所述之主动式有机电激发 光二极体驱动电路,其中于该临界电压锁住阶段开 始时,该资料线的电压位准被重置(Reset)为与电源 供应线(Vdd)之电压位准相同。 9.如申请专利范围第7项所述之主动式有机电激发 光二极体驱动电路,其中该临界电压锁住阶段将使 上述储存电容放电重置,而上述补偿电容将记忆驱 动TFT之临界电压値(Vth)。 10.如申请专利范围第7项所述之主动式有机电激发 光二极体驱动电路,其中该写入阶段资料电压(Vdata )将透过扫描重置TFT的导通(ON)而存入上述储存电 容中,上述补偿电容则因侦测TFT之截止(OFF)而始终 保持之前所记忆之临界电压値(Vth)。 图式简单说明: 第1图,系美国专利US 6,229,506之画素电路示意图。 第2图,系美国专利US 6,229,506之控制信号时序图。 第3图,系PHILIPS公司论文之画素电路示意图。 第4图,系本发明之每一画素内电路示意图。 第5图,系本发明之显示面板上画素电路的连结与 控制示意图。 第6图,系本发明之控制信号时序图。 |
