| 主权项 |
1.一种连接磁电元件与导线之无引洞方法,包括下 列步骤: 于一基底上形成一磁电元件; 形成一间隔物于该磁电元件之侧壁; 沉积一介电层覆盖于上述基底与磁电元件; 平坦化该介电层至该磁电元件之上方一距离; 回蚀该介电层至裸露该磁电元件之上表面;以及 于该磁电元件上形成一导线与其直接接触。 2.如申请专利范围第1项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中上述磁电元件包含磁性隧道 接合元件。 3.如申请专利范围第1项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中该磁电元件之最上层包括一 硬罩幕层。 4.如申请专利范围第3项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中该硬罩幕层为导电性。 5.如申请专利范围第3项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中该硬罩幕层包含钽、钛、铬 、氮化钽、或氮化钛。 6.如申请专利范围第3项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中该硬罩幕层之厚度乃大抵介 于400-600。 7.如申请专利范围第1项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中该间隔物乃包含氮化矽或低 温氮化矽。 8.如申请专利范围第1项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中上述之平坦化步骤乃藉由化 学机械研磨法。 9.如申请专利范围第1项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中上述平坦化该介电层至该磁 电元件上方之距离乃小于1000。 10.如申请专利范围第1项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中上述回蚀步骤乃藉由一乾式 蚀刻法。 11.如申请专利范围第1项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中上述介电层乃包含氧化物。 12.如申请专利范围第1项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中上述于该磁电元件上形成导 线与其直接接触之步骤乃包括: 沉积一导电层覆盖于该介电层与该磁电元件裸露 之上表面;以及 定义该导电层,形成上述之导线。 13.如申请专利范围第12项所述之连接磁电元件与 导线之无引洞方法,其中上述导电层乃包含铝金属 。 14.如申请专利范围第1项所述之连接磁电元件与导 缘之无引洞方法,其中上述于该磁电元件上形成导 线与其直接接触之步骤乃包括: 沉积一介电材料层覆盖于该介电层与该磁电元件 裸露之上表面; 图案化该介电材料层以形成一导线沟槽; 沉积一导电材料层填充该导线沟槽并且覆盖于该 介电材料层;以及 移除位于该介电材料层上方之导电材料,以将该导 电材料镶嵌于该介电材料层中,以作为上述之导线 。 15.如申请专利范围第14项所述之连接磁电元件与 导线之无引洞方法,其中该导电材料层乃包含铜或 铝金属。 16.如申请专利范围第1项所述之连接磁电元件与导 线之无引洞方法,其中该基底上或其中乃包含一导 线。 图式简单说明: 第1图系阐述本发明之无引洞方法的流程图式。 第2A~2F系阐述本发明之无引洞方法中,一较佳实施 例之制作剖面图式。 第3A-3B图系阐述本发明之无引洞方法中,另一较佳 实施例之制作剖面图式。 |
