发明名称 具有凸块之晶圆结构
摘要 一种具有凸块之晶圆结构,系具有一保护层及复数个暴露出保护层之晶圆焊垫,再者,更包含有依序由钛金属层及铜金属层所组成之线路重分布层形成于晶圆焊垫上,以及一设置于线路重分布层上之球底金属层用以作为凸块与线路重分布层相连接之接合过渡层。另外,更包含一覆盖部分线路重分布层之介电保护层,用以保护线路重分布层。
申请公布号 TWI252548 申请公布日期 2006.04.01
申请号 TW094100564 申请日期 2005.01.07
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 黄敏龙
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 刘正格 台北市大同区重庆北路3段88号3楼之1
主权项 1.一种具有凸块之晶圆结构,包含: 一主动表面; 复数个晶圆焊垫,设置于该主动表面上; 一保护层,设置于该主动表面上且具有复数个开口 暴露出该等晶圆焊垫; 复数个线路重分布层,分别设置于该等晶圆焊垫及 该保护层上,其中每一该线路重分布层系包含一钛 金属层及一铜金属层; 一介电保护层,设置于该等线路重分布层上并暴露 出部分之该等线路重分布层; 复数个球底金属层,分别接合于每一该暴露出部分 之该线路重分布层;以及 复数个焊料凸块,分别设置于该等球底金属层上。 2.如申请专利范围第1项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中每一该球底金属层系包含一钛金属层、一 镍钒合金层及一铜金属层。 3.如申请专利范围第1项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该保护层之材质系包含聚亚醯胺(polyimide, PI)。 4.如申请专利范围第1项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该保护层之材质系包含苯并环丁烯( Benzocyclobutene, BCB)。 5.如申请专利范围第1项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该介电保护层之材质系包含聚亚醯胺( polyimide, PI)。 6.如申请专利范围第1项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该介电保护层之材质系包含苯并环丁烯( Benzocyclobutene, BCB)。 7.如申请专利范围第1项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该介电保护层系覆盖于该保护层上。 8.如申请专利范围第1项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该等球底金属层之一系部分设置于该介电 保护层上。 9.一种具有凸块之晶圆结构,包含: 一主动表面; 一晶圆焊垫,设置于该主动表面上; 一保护层,设置于该主动表面上且具有复数个开口 暴露出该晶圆焊垫; 一线路重分布层,设置于该晶圆焊垫及该保护层上 ,其中该线路重分布层系包含一钛金属层及一铝金 属层; 一介电保护层,设置于该线路重分布层上并暴露出 部分之该线路重分布层; 一球底金属层,接合于该暴露出部分之该线路重分 布层;以及 一焊料凸块,设置于该球底金属层上。 10.如申请专利范围第9项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该球底金属层系包含一铝金属层、一镍钒 合金层及一铜金属层。 11.如申请专利范围第9项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该保护层之材质系包含聚亚醯胺(polyimide, PI)。 12.如申请专利范围第9项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该保护层之材质系包含苯并环丁烯( Benzocyclobutene, BCB)。 13.如申请专利范围第9项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该介电保护层之材质系包含聚亚醯胺 ( polyimide, PI)。 14.如申请专利范围第9项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该介电保护层之材质系包含苯并环丁烯( Benzocyclobutene, BCB)。 15.如申请专利范围第9项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该介电保护层系覆盖于该保护层上。 16.如申请专利范围第9项所述之具有凸块之晶圆结 构,其中该球底金属层系部分设置于该介电保护层 上。 图式简单说明: 图1为习知之具有凸块之晶圆结构剖面示意图。 图2为依照本发明较佳实施例之具有凸块之晶圆结 构剖面示意图。
地址 高雄市楠梓加工区经三路26号