非挥发性记忆体之制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体之制造方法，主要在于基底上依序形成底介电层、电荷陷入层、顶介电层及导体层。接着移除导体层、顶介电层、电荷陷入层、底介电层及基底之部分以形成多数个沟渠。接着于沟渠中填入绝缘层以形成多数个隔离结构。接着于导体层及隔离结构上形成多数条字元线。接着以字元线为罩幕移除底介电层、电荷陷入层、顶介电层、导体层及隔离结构之部分以形成多数个元件结构。由于底介电层具有两种以上之厚度，因此元件结构可随着底介电层的厚度不同而相对具有不同之特性表现，可作为特性不同的记忆胞或周边电路元件。