发明名称 蚀刻制程以及图案化制程
摘要 一种蚀刻制程,其系首先提供一材料层,且材料层上已形成有一底部抗反射层以及一图案化光阻层。接着,以图案化光阻层为蚀刻罩幕,蚀刻底部抗反射层。然后,进行一清洁步骤,以清除附着在图案化光阻层表面上的聚合物。之后,以图案化光阻层为蚀刻罩幕,蚀刻材料层。
申请公布号 TW200611326 申请公布日期 2006.04.01
申请号 TW093129540 申请日期 2004.09.30
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 周佩玉
分类号 H01L21/302;G03F7/09 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号