自我对准非挥发性记忆体及其制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体，包含具有一堆叠层之基底。在该堆叠层上覆盖有一牺牲层(sacrificial layer)，在此牺牲层上则形成第一开口。在第一开口的一侧壁上先形成第一间隙壁。接着以此第一间隙壁为幕罩，蚀刻该堆叠层以形成第二开口。形成一隔离层以部分覆盖第一与第二开口。接着于其上覆盖一导电层，再以该部分的导电层作为第二幕罩，以蚀刻该堆叠层而形成闸极结构。