| 主权项 |
1.一种开关电路装置,具备有:第1及第2开关元件;1 个共通输入端子用电极焊垫;第1及第2输出端子用 电极焊垫;与前述2个开关元件相接的1个控制端子 用电极焊垫;用以连接前述控制端子用电极焊垫与 前述第2开关元件的连接机构;连接至前述第1或第2 开关元件的分离机构用电极焊垫;透过接地机构与 前述第2开关元件连接的接地机构用电极焊垫,且 使前述连接机构沿着前述共通输入端子用电极焊 垫及前述控制端子用电极焊垫延伸配置。 2.如申请专利范围第1项之开关电路装置,其中,前 述连接机构系由电阻所形成。 3.如申请专利范围第2项之开关电路装置,其中,前 述连接机构的电阻系于基板上之高浓度区域形成, 并与由前述共通输入端子用电极焊垫延伸配置的 金属层交叉。 4.如申请专利范围第1项之开关电路装置,其中,设 有对前述第1开关元件施加预定之偏压的偏压机构 及偏压机构用电极焊垫。 5.如申请专利范围第1项之开关电路装置,其中,将 前述第1及第2开关元件积体化并形成于同一半导 体晶片上,前述分离机构用电极焊垫,系在前述晶 片外透过分离机构与前述共通输入端子用电极焊 垫相连接。 6.一种开关电路装置,系具备有:第1及第2开关元件; 1个共通输入端子用电极焊垫;第1及第2输出端子用 电极焊垫;与前述2个开关元件相接的1个控制端子 用电极焊垫;用以连接前述控制端子用电极焊垫与 前述第2开关元件的连接机构;连接至前述第1或第2 开关元件的分离机构用电极焊垫;透过接地机构与 前述第2开关元件连接的接地机构用电极焊垫,且 使前述接地机构延伸配置在晶片的中央部。 7.如申请专利范围第6项之开关电路装置,其中,前 述接地机构系由电阻所形成。 8.如申请专利范围第7项之开关电路装置,其中,前 述连接机构的电阻系于基板上之高浓度区域形成, 并与前述第2开关元件的一部份相交叉。 9.如申请专利范围第6项之开关电路装置,其中,设 有对前述第1开关元件施加预定的偏压之偏压机构 及偏压机构用电极焊垫。 10.如申请专利范围第6项之开关电路装置,其中,将 前述第1及第2开关元件积体化并形成于同一半导 体晶片上,前述分离机构用电极焊垫,系在前述晶 片外透过分离机构与前述共通输入端子用电极焊 垫相连接。 11.一种化合物半导体开关电路装置,系具备有:于 通道层表面设置源极、闸极及汲极的第1及第2FET; 连接至前述两FET的源极或汲极的共通输入端子用 电极焊垫;连接至前述两FET的汲极或源极的第1及 第2输出端子用电极焊垫;与前述两FET连接的控制 端子用电极焊垫;用以连接前述控制端子用电极焊 垫与前述第2FET的连接机构;用以将前述第2FET之闸 极接地的接地机构;透过接地机构与前述第2FET连 接的接地机构用电极焊垫;连接至前述第1或第2FET 的源极或汲极的分离机构用电极焊垫,且在晶片一 端配列前述分离机构用电极焊垫,前述共通输入端 子用电极焊垫及前述控制端子用电极焊垫,而在前 述晶片的另一端,系于两端配列前述第1及第2输出 端子用电极焊垫,于中央配列前述接地机构用电极 焊垫。 12.如申请专利范围第11项之化合物半导体开关电 路装置,其中,设有对前述第1FET施加预定的偏压之 偏压机构及偏压机构用电极焊垫。 13.如申请专利范围第11项之化合物半导体开关电 路装置,其中,将前述第1及第2FET积体化并形成于同 一半导体晶片上,前述分离机构用电极焊垫,系在 前述晶片外透过分离机构与前述共通输入端子用 电极焊垫相连接。 14.如申请专利范围第11项之化合物半导体开关电 路装置,其中,系将前述晶片固定于头部,前述分离 机构用电极焊垫,前述共通输入端子用电极焊垫及 前述控制用电极焊垫,前述第1及第2输出端子用电 极焊垫则连接至接近前述头部的引线,而前述接地 机构用电极焊垫则连接至与前述头部相连结的引 线。 15.如申请专利范围第14项之化合物半导体开关电 路装置,其中,前述各引线系与前述各焊垫的配列 呈一致配置。 16.如申请专利范围第15项之化合物半导体开关电 路装置,其中,系利用连接至前述分离机构用电极 焊垫之引线、连接至前述控制端子用电极焊垫之 引线及连接至前述接地机构用电极焊垫之头部与 引线将连接至前述共通输入端子用电极焊垫的引 线,及连接至前述第1及第2输出端子用电极焊垫的 引线予以高频地分离。 17.一种化合物半导体开关电路装置,系具备有:于 通道层表面设置源极、闸极及汲极的第1及第2FET; 连接至前述两FET的源极或汲极的共通输入端子用 电极焊垫;连接至前述两FET的汲极或源极的第1及 第2输出端子用电极焊垫;与前述两FET连接的控制 端子用电极焊垫;用以连接前述控制端子用电极焊 垫与前述第2FET的连接机构;用以将前述第2FET之闸 极接地的接地机构;透过接地机构与前述第2FET连 接的接地机构用电极焊垫;连接至前述第1或第2FET 的源极或汲极的分离机构用电极焊垫,且使前述连 接机构沿着前述共通输入端子用电极焊垫及前述 控制端子用电极焊垫延伸配置。 18.如申请专利范围第17项之化合物半导体开关电 路装置,其中,前述连接机构系由电阻所形成。 19.如申请专利范围第18项之化合物半导体开关电 路装置,其中,前述连接机构的电阻系于基板上之 高浓度区域形成,并与由前述共通输入端子用电极 焊垫延伸配置的金属层相互交叉。 20.如申请专利范围第17项之化合物半导体开关电 路装置,其中,设有对前述第1FET施加预定的偏压之 偏压机构及偏压机构用电极焊垫。 21.如申请专利范围第17项之化合物半导体开关电 路装置,其中,将前述第1及第2FET积体化并形成于同 一半导体晶片上,前述分离机构用电极焊垫,系在 前述晶片外透过分离机构而与前述共通输入端子 用电极焊垫相连接。 22.一种化合物半导体开关电路装置,系具备有:于 通道层表面设置源极、闸极及汲极的第1及第2FET; 连接至前述两FET的源极或汲极的共通输入端子用 电极焊垫;连接至前述两FET的汲极或源极的第1及 第2输出端子用电极焊垫;与前述两FET连接的控制 端子用电极焊垫;用以连接前述控制端子用电极焊 垫与前述第2FET的连接机构;用以将前述第2FET之闸 极接地的接地机构;透过接地机构与前述第2FET连 接的接地机构用电极焊垫;连接至前述第1或第2FET 的源极或汲极的分离机构用电极焊垫,且使前述接 地机构延伸配置在晶片的中央部。 23.如申请专利范围第22项之化合物半导体开关电 路装置,其中,前述接地机构系由电阻所形成。 24.如申请专利范围第23项之化合物半导体开关电 路装置,其中,前述接地机构的电阻系于基板上之 高浓度区域形成,并与前述第2FET的汲极或源极相 互交叉。 25.如申请专利范围第22项之化合物半导体开关电 路装置,其中,设有对前述第1FET施加预定的偏压之 偏压机构及偏压机构用电极焊垫。 26.如申请专利范围第22项之化合物半导体开关电 路装置,其中,将前述第1及第2FET积体化并形成于同 一半导体晶片上,而前述分离机构用电极焊垫,系 在前述晶片外透过分离机构而与共通输入端子用 电极焊垫相连接。 27.一种化合物半导体开关电路装置,系具备有:于 通道层表面设置源极、闸极及汲极的第1及第2FET; 连接至前述两FET的源极或汲极的共通输入端子用 电极焊垫;连接至前述两FET的汲极或源极的第1及 第2输出端子用电极焊垫;与前述两FET连接的控制 端子用电极焊垫;用以连接前述控制端子用电极焊 垫与前述第2FET的连接机构;用以将前述第2FET之闸 极接地的接地机构;透过接地机构与前述第2FET连 接的接地机构用电极焊垫;连接至前述第1或第2FET 与前述共通输入端子用电极焊垫的分离机构,且在 晶片一端配列前述分离机构,前述共通输入端子用 电极焊垫及前述控制端子用电极焊垫,而在前述晶 片的另一端,系于两端配列前述第1及第2输出端子 用电极焊垫,于中央配列前述接地机构用电极焊垫 。 28.如申请专利范围第27项之化合物半导体开关电 路装置,其中,设有对前述第1FET施加预定的偏压之 偏压机构及偏压机构用电极焊垫。 图式简单说明: 第1图,为用以说明本发明之电路图。 第2图,为用以说明本发明之电路图。 第3图,为用以说明本发明之电路图。 第4图,为用以说明本发明之(A)特性图、(B)特性图 。 第5图,为用以说明本发明之(A)特性图、(B)特性图 。 第6图,为用以说明本发明之平面图。 第7图,为用以说明本发明之剖面图。 第8图(A)、(B),为用以说明本发明之平面图。 第9图,为用以说明本发明之平面图。 第10图(A)至(F),为用以说明本发明之概略图。 第11图(A)至(F),为用以说明本发明之概略图。 第12图,为用以说明先前例之(A)剖面图、(B)电路图 。 第13图,为用以说明先前例之平面图。 第14图,为用以说明先前例之(A)平面图、(B)剖面图 。 第15图(A)、(B),为用以说明先前例之平面图。 |
